電壓探頭是示波器測(cè)量電路信號(hào)的關(guān)鍵附件，其性能直接影響測(cè)量精度。根據(jù)應(yīng)用場(chǎng)景和性能特點(diǎn)，主要分為以下幾類：

?一、探頭類型與技術(shù)特性?

1. ?無(wú)源探頭?

• ?衰減系數(shù)?（1X、10X等）：高衰減比可擴(kuò)展電壓測(cè)量范圍。

• ?補(bǔ)償范圍?：需匹配示波器輸入電容以避免信號(hào)失真。

• ?輸入阻抗?：低頻時(shí)由電阻主導(dǎo)（如10MΩ），高頻時(shí)受輸入電容影響顯著下降。

• ?結(jié)構(gòu)?：純阻容網(wǎng)絡(luò)，無(wú)需外部供電。

• ?適用場(chǎng)景?：低頻常規(guī)測(cè)量（＜600MHz）。

• ?關(guān)鍵指標(biāo)?：

2. ?有源探頭?

• ?結(jié)構(gòu)?：內(nèi)置放大器，需外部供電。

• ?優(yōu)勢(shì)?：高帶寬（可達(dá)GHz級(jí)）、低輸入電容（約1pF），減少電路負(fù)載效應(yīng)。

3. ?高壓差分探頭?

• ?共模抑制比（CMRR）?：決定抗干擾能力，低CMRR會(huì)導(dǎo)致浮地測(cè)量時(shí)波形失真（例如測(cè)半橋電路驅(qū)動(dòng)信號(hào)）。

• ?差分電壓范圍?：支持?jǐn)?shù)百伏高壓測(cè)量（如半橋電路MOS管DS極間電壓）。

• ?延時(shí)一致性?：多通道測(cè)量時(shí)需校準(zhǔn)通道間延時(shí)差（典型值±1ns）。

• ?原理?：測(cè)量?jī)牲c(diǎn)間電位差，抑制共模干擾。

                  核心指標(biāo)?：

• ?共模抑制比（CMRR）?：決定抗干擾能力，低CMRR會(huì)導(dǎo)致浮地測(cè)量時(shí)波形失真（例如測(cè)半橋電路驅(qū)動(dòng)信號(hào)）。

• ?差分電壓范圍?：支持?jǐn)?shù)百伏高壓測(cè)量（如半橋電路MOS管DS極間電壓）。

• ?延時(shí)一致性?：多通道測(cè)量時(shí)需校準(zhǔn)通道間延時(shí)差（典型值±1ns）。

二、典型應(yīng)用場(chǎng)景與實(shí)操要點(diǎn)?

1. ?功率器件開(kāi)關(guān)損耗測(cè)試?

• 電流探頭需?去磁（DEGAUSS）? 和?調(diào)零?，消除直流偏移3。

• 電流探頭（如PKC7050）測(cè)IGBT集電極電流，高壓差分探頭（如PKDV508E）測(cè)$V_{ce}$電壓。

• ?同步觸發(fā)?：示波器以電壓通道上升沿為觸發(fā)源，電平略高于柵極閾值。

• ?系統(tǒng)搭建?：電流探頭（如PKC7050）測(cè)IGBT集電極電流，高壓差分探頭（如PKDV508E）測(cè)$V_{ce}$電壓。

• ?校準(zhǔn)步驟?：電流探頭需?去磁（DEGAUSS）? 和?調(diào)零?，消除直流偏移。

2. ?浮地高壓測(cè)量?

• 差分探頭直接測(cè)MOS管DS極間電壓，避免普通探頭接地短路風(fēng)險(xiǎn)。

• ?GS驅(qū)動(dòng)電壓測(cè)量?：需高CMRR探頭抑制高共模電壓（如480V）導(dǎo)致的基底噪聲。

• ?半橋電路測(cè)量?：

• 差分探頭直接測(cè)MOS管DS極間電壓，避免普通探頭接地短路風(fēng)險(xiǎn)。

• ?GS驅(qū)動(dòng)電壓測(cè)量?：需高CMRR探頭抑制高共模電壓（如480V）導(dǎo)致的基底噪聲。

3. ?高頻信號(hào)保真度驗(yàn)證?

• ?操作?：短接差分探頭輸入端測(cè)共模電壓輸出，若殘留信號(hào)＞2Vpp說(shuō)明CMRR不足。

?三、選型與使用建議?

• ?帶寬選擇?：探頭帶寬需＞被測(cè)信號(hào)最高頻率的3倍（如測(cè)100MHz信號(hào)選300MHz探頭）。

• ?阻抗匹配?：高阻電路優(yōu)先選有源探頭，避免電容負(fù)載引起諧振。

• ?高壓場(chǎng)景?：差分探頭紅/黑表筆需嚴(yán)格隔離，測(cè)量點(diǎn)裸露導(dǎo)體間距＞探頭頭部尺寸。