在100nm厚PMMA膠、30kV加速電壓的測(cè)試中，優(yōu)化后的150μC/cm2劑量組展現(xiàn)出突破性效果（圖5）：

中心區(qū)域圖形均勻性提升80%

邊緣孤立圖形尺寸偏差從±25%縮小至±8%

整體分辨率達(dá)到設(shè)計(jì)線寬500nm的±3%誤差范圍內(nèi)

四、技術(shù)展望：讓中國(guó)智造更“精密”

盡管當(dāng)前技術(shù)對(duì)復(fù)雜圖形的適應(yīng)性仍有提升空間，但澤攸科技已將該算法集成至自主開(kāi)發(fā)的HNU-EBL軟件中。未來(lái)結(jié)合AI預(yù)測(cè)模型和實(shí)時(shí)電子束調(diào)控，有望將校正精度推進(jìn)至亞納米級(jí)。正如團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人所言：“解決鄰近效應(yīng)，就是打開(kāi)量子器件、光子芯片產(chǎn)業(yè)化大門的鑰匙?！?/span>

澤攸 EBL 電子光刻，作為前沿的微納加工技術(shù)，無(wú)需掩模即可實(shí)現(xiàn)納米級(jí)圖案直寫(xiě)。其工作原理是借助聚焦電子束，精準(zhǔn)作用于電子敏感光刻膠表面。澤攸科技憑借自主研發(fā)實(shí)力，構(gòu)建起完備的技術(shù)體系。旗下 ZEL304G 機(jī)型亮點(diǎn)突出，配備高亮度、低發(fā)散的肖特基場(chǎng)發(fā)射電子槍，確保電子束精準(zhǔn) “繪制” 納米線條；標(biāo)配的激光干涉樣品臺(tái)，定位精度達(dá)亞納米級(jí)，支持大行程高精度拼接與多圖層套刻；高性能圖形發(fā)生器采用 20 位 D/A 轉(zhuǎn)換器與 50MHz 高速掃描模塊，實(shí)現(xiàn)超高速掃描與≤1nm@15kV 的超高圖像分辨率，最小單次曝光線寬僅 2nm。此外，還內(nèi)置鄰近效應(yīng)校正功能，有效提升納米圖案均勻性。在科研與工業(yè)領(lǐng)域，澤攸 EBL 電子光刻助力二維材料器件制備，為微機(jī)電系統(tǒng)、光刻掩膜制造等提供高精度加工方案 ，推動(dòng)行業(yè)創(chuàng)新發(fā)展。