傳統(tǒng)直流I-V測(cè)試方法常因自熱效應(yīng)和電荷捕獲效應(yīng)導(dǎo)致測(cè)量結(jié)果嚴(yán)重失真，尤其對(duì)于功率器件、新型化合物半導(dǎo)體等。

TH-PMU超快速脈沖IV測(cè)試模塊，以其高速、高精度、雙通道同步的性能，打破了測(cè)量失真這一行業(yè)痛點(diǎn)。

核心優(yōu)勢(shì)

消除自熱與漂移：

采用超快速脈沖激勵(lì)與同步測(cè)量技術(shù)，在極短的脈沖高電平（最小10ns）內(nèi)完成測(cè)試。

顯著降低器件自熱效應(yīng)，避免結(jié)溫升高導(dǎo)致的參數(shù)偏移。

極大減少電荷捕獲/釋放引起的電流漂移，獲取更接近器件本征特性的數(shù)據(jù)。

雙通道獨(dú)立同步：

配備兩個(gè)獨(dú)立且嚴(yán)格同步的高速脈沖I-V源和測(cè)量通道。

支持復(fù)雜測(cè)試場(chǎng)景，如雙脈沖測(cè)試（評(píng)估動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻Rds(on)的關(guān)鍵方法）、多電平脈沖測(cè)試等。

可同時(shí)對(duì)器件的不同端口或不同器件施加脈沖并測(cè)量，提升測(cè)試效率與靈活性。

高速與精度并存：

最小脈沖寬度低至10ns，可模擬高速開關(guān)環(huán)境。

最小測(cè)量窗口僅20ns，精確捕捉脈沖平臺(tái)期信息。

超低噪聲（電流200pA，電壓1mV） 與寬動(dòng)態(tài)范圍（電壓±40V，電流±800mA） 結(jié)合，確保在極短時(shí)間內(nèi)也能獲得高信噪比、高精度的測(cè)量結(jié)果。

瞬態(tài)波形捕獲能力：

不僅支持脈沖平臺(tái)期的I-V點(diǎn)測(cè)試，更能捕獲完整的瞬態(tài)電壓/電流波形。

為分析器件的開關(guān)特性、過(guò)沖/振鈴現(xiàn)象、柵極電荷特性等提供關(guān)鍵數(shù)據(jù)。

參數(shù)亮點(diǎn)解讀

10ns脈沖寬度 + 20ns測(cè)量窗口：

實(shí)現(xiàn)真正超快速測(cè)試的核心，能在熱量積累和電荷狀態(tài)發(fā)生顯著變化前完成測(cè)量。

200pA電流噪聲 / 1mV電壓噪聲：

在ns級(jí)的測(cè)量窗口內(nèi)實(shí)現(xiàn)如此低的噪聲水平，體現(xiàn)了的信號(hào)調(diào)理與采集技術(shù)。

100ns/30ns穩(wěn)定時(shí)間：

保證了在施加脈沖后，系統(tǒng)能快速達(dá)到可進(jìn)行精確測(cè)量的穩(wěn)定狀態(tài)，提升測(cè)試效率。

±40V/±800mA范圍：

寬泛的驅(qū)動(dòng)能力使其適用于廣泛的半導(dǎo)體器件，特別是功率MOSFET、IGBT、GaN HEMT、SiC MOSFET、二極管以及各類新興器件的表征。

典型應(yīng)用場(chǎng)景

功率半導(dǎo)體器件動(dòng)態(tài)表征：

動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻Rds(on)測(cè)量：評(píng)估開關(guān)過(guò)程中的真實(shí)導(dǎo)通損耗

閾值電壓Vth漂移測(cè)試： 研究高溫、高柵壓應(yīng)力下的閾值穩(wěn)定性

第三代半導(dǎo)體器件分析：

GaN HEMT / SiC MOSFET特性分析： 克服其固有的強(qiáng)自熱效應(yīng)和陷阱效應(yīng)，獲取準(zhǔn)確的轉(zhuǎn)移特性、輸出特性、跨導(dǎo)等。

柵極可靠性測(cè)試： 評(píng)估在快速開關(guān)應(yīng)力下柵極參數(shù)的退化。

射頻器件與模型驗(yàn)證：

大信號(hào)IV特性捕獲： 為非線性模型（如EEHEMT, Angelov）提供精確的脈沖IV數(shù)據(jù)。

熱依賴性分析： 分離電學(xué)特性與熱學(xué)效應(yīng)的影響。

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