霍爾效應是電磁效應的一種，這一現(xiàn)象是美國物理學家霍爾（E.H.Hall，1855—1938）于1879年在研究金屬的導電機制時發(fā)現(xiàn)的。當電流垂直于外磁場通過半導體時，載流子發(fā)生偏轉，垂直于電流和磁場的方向會產(chǎn)生一附加電場，從而在半導體的兩端產(chǎn)生電勢差，這一現(xiàn)象就是霍爾效應，這個電勢差也被稱為霍爾電勢差。

霍爾效應以及后續(xù)發(fā)現(xiàn)的自旋霍爾效應、量子霍爾效應、量子反常霍爾效應等具有*高的應用前景。霍爾效應的研究是我們研究材料的載流子濃度、遷移率等基礎物理性質的重要手段。

霍爾效應測試系統(tǒng)一般由電磁鐵平臺、測試系統(tǒng)以及各類測試附件和軟件組成，如果增加液氮恒溫器或者閉循環(huán)低溫恒溫器，也可以進行低溫下的霍爾效應測試。測試方法一般有范德堡法和HallBar法，根據(jù)材料的種類（金屬、半導體、絕緣體）不同，所選的測試儀表種類也有所不同，這主要是由于不同的測試儀表，其測量范圍有所不同。電磁鐵大小、儀表種類、是否需要低溫等關系著整個系統(tǒng)價格的高低。