硅鉬棒電熱元件是一種以二硅化鉬為基礎(chǔ)制成的耐高溫、抗氧化、低老化的電阻發(fā)熱元件。在高溫氧化性氣氛下使用時(shí),表面生成一層光亮致密的石英(SiO2)玻璃膜,能夠保護(hù)硅鉬棒內(nèi)層不再氧化,因此硅鉬棒元件具有*的高溫抗氧化性。
,分子式:MoSi2 【理化性能】 密度:5.5~5.6g/cm3 抗彎強(qiáng)度:15MPa(20℃) 維氏硬度(HV):570kg/mm2 氣孔率:7.4% 吸水率:1.2% 熱伸長(zhǎng)率:4% 輻射系數(shù):0.7~0.8(800~2000℃)
根據(jù)加熱設(shè)備裝置的結(jié)構(gòu)、工作氣氛和溫度,對(duì)電熱元件的表面負(fù)荷進(jìn)行正確地選擇,是電熱元件的使用壽命的關(guān)鍵。
電熱元件產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于冶金、煉鋼、玻璃、陶瓷、耐火材料、晶體、電子元器件、半導(dǎo)體材料的研究、生產(chǎn)制造等領(lǐng)域,特別是對(duì)于高性能精密陶瓷、高等級(jí)人工晶體、精密結(jié)構(gòu)金屬陶瓷、玻璃纖維、光導(dǎo)纖維及合金鋼的生產(chǎn)。
中的硅是一種化學(xué)元素,它的化學(xué)符號(hào)是Si,舊稱矽。原子序數(shù)14,相對(duì)原子質(zhì)量28.09,有無定形硅和晶體硅兩種同素異形體,屬于元素周期表上IVA族的類金屬元素。硅也是極為常見的一種元素,然而它極少以單質(zhì)的形式在自然界出現(xiàn),而是以復(fù)雜的硅酸鹽或二氧化硅的形式,廣泛存在于巖石、砂礫、塵土之中。硅在宇宙中的儲(chǔ)量排在第八位。在地殼中,它是第二豐富的元素,構(gòu)成地殼總質(zhì)量的25.7%,僅次于*位的氧(49.4%)。
中的硅名稱的由來,來自拉丁文的silex,silicis,意思為燧石(火石)。 民國(guó)初期,學(xué)者原將此元素譯為“硅”而令其讀為“xi(圭旁確可讀xi音,如畦字)”(又,“硅”字本為“砉”字之異體,讀huo)。然而在當(dāng)時(shí)的時(shí)空下,由于拼音方案尚未推廣普及,一般大眾多誤讀為gui。由于化學(xué)元素譯詞除中國(guó)原有命名者,多用音譯,化學(xué)學(xué)會(huì)注意到此問題,于是又創(chuàng) “矽”字避免誤讀。中國(guó)臺(tái)灣沿用“矽”字至今。
1787年,拉瓦錫發(fā)現(xiàn)硅存在于巖石中。然而在1800年,戴維將其錯(cuò)認(rèn)為一種化合物。1811年,蓋-呂薩克和Thénard可能已經(jīng)通過將單質(zhì)鉀和四氟化硅混合加熱的方法制備了不純的無定形硅。1823年,硅作為一種元素被貝采利烏斯發(fā)現(xiàn),并于一年后提煉出了無定形硅,其方法與蓋-呂薩克使用的方法大致相同。他隨后還用反復(fù)清洗的方法將單質(zhì)硅提純。
在氧化氣氛下、zui高使用溫度為1800℃,電熱元件的電阻隨著溫度升高而迅速增加,當(dāng)溫度不變時(shí)電阻值穩(wěn)定。在正常情況下元件電阻不隨使用時(shí)間的長(zhǎng)短而發(fā)生變化,因此,新舊電熱元件可以混合使用。
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