射頻導(dǎo)納物位計(jì)控制技術(shù)是一種從電容式物位控制技術(shù)發(fā)展起來(lái)的，防掛料性能更好，工作更可靠，測(cè)量更準(zhǔn)確，適用性更廣的物位控制技術(shù)，“射頻導(dǎo)納”中“導(dǎo)納”的含義為電學(xué)中阻抗的倒數(shù)，它由阻抗成份，容性成份，感性成份綜合而成，而“射頻”即高頻，所以射頻導(dǎo)納技術(shù)可以理解為用高頻電流測(cè)量導(dǎo)納的方法。高頻正鉉振蕩器輸出一個(gè)穩(wěn)定的測(cè)量信號(hào)源，利用電橋原理，以測(cè)量安裝在待測(cè)量容器中的傳感器上的導(dǎo)納，在直接作用模式下，儀表的輸出隨物位的升高而增加。

  射頻導(dǎo)納物位計(jì)技術(shù)與傳統(tǒng)電容技術(shù)的區(qū)別在于測(cè)量參量的多樣性，三端驅(qū)動(dòng)屏蔽技術(shù)和增加的兩個(gè)重要電路，這些是根據(jù)在實(shí)踐中的寶貴經(jīng)驗(yàn)改進(jìn)而成的。上述技術(shù)不但解決了連接電纜屏蔽和溫漂問(wèn)題，也解決了垂直安裝的傳感器根部掛料問(wèn)題。所增加的兩個(gè)電路是高精度振蕩驅(qū)動(dòng)器和交流鑒相采樣器。

  對(duì)一個(gè)強(qiáng)導(dǎo)電性物料的容器，由于物料是導(dǎo)電的，接地點(diǎn)可以被認(rèn)為在傳感器緣層的表面，對(duì)儀表傳感器來(lái)說(shuō)僅表現(xiàn)為一個(gè)電容和電阻組成的復(fù)阻抗，從而引起兩個(gè)問(wèn)題。

   *個(gè)問(wèn)題是物料本身對(duì)傳感器相當(dāng)于一個(gè)電容，它不消耗變送器的能量，（電容不耗能），但掛料對(duì)傳感器等效電路中含有電阻，則掛料的阻抗會(huì)消耗能量，從而將振蕩器電壓拉下來(lái)，導(dǎo)致橋路輸出改變，產(chǎn)生測(cè)量誤差。我們?cè)谡袷幤髋c電橋之間增加了一個(gè)驅(qū)動(dòng)器，使消耗的能量得到補(bǔ)充因而會(huì)穩(wěn)定加在傳感器的振蕩電壓。

   第二個(gè)問(wèn)題是對(duì)于導(dǎo)電物料，傳感器緣層表面的接地點(diǎn)覆蓋了整個(gè)物料及掛料區(qū)，使有效測(cè)量電容擴(kuò)展到掛料的端，這樣便產(chǎn)生掛料誤差，且導(dǎo)電性越強(qiáng)誤差越大。

   但任何物料都不是*導(dǎo)電的。從電學(xué)角度來(lái)看，掛料層相當(dāng)于一個(gè)電阻，傳感器被掛料覆蓋的部分相當(dāng)于一條由無(wú)數(shù)個(gè)無(wú)窮小的電容和電阻元件組成的傳輸線。根據(jù)數(shù)學(xué)理論，如果掛料足夠長(zhǎng)，則掛料的電容和電阻部分的阻抗和容抗數(shù)值相等，因此用交流鑒相采樣器可以分別測(cè)量電容和電阻。測(cè)量的總電容相當(dāng)于C + C 在減去與C 相等的電阻R，就可以獲得物位真實(shí)值，從而排除掛料的影響。

射頻導(dǎo)納物位計(jì)如果按隔爆要求安裝的儀表，在防爆現(xiàn)場(chǎng)開(kāi)儀表防爆殼體之前，一定要確信儀表已斷電并且已斷電10分鐘以上！ ！ ！

                                                                             （文章來(lái)源：銘宇自控）