硅漂移探測器（Silicon Drift Detector，簡稱SDD）是半導體探測器的一種，用來探測X射線，廣泛應用在能量色散型X射線熒光儀（XRF）或者X射線能譜儀（EDS）上。  XRF合金分析儀使用了大面積的SDD探測器之后，分析速度快速的提高2倍，使得分析數(shù)據(jù)的穩(wěn)定性更強。

SDD探測器的zui突出特點有：

1. 高計數(shù)率。由于收集陽極的電容極低，相比通常的硅PIN器件，SDD具有更短的上升時間，因而特別適合在高計數(shù)率的情況下工作。

2. 高能量分辨率。SDD的陽極面積小于通常硅PIN器件，由于電容的減小，在收集等量電荷的情況下具有更高的電壓，提高了其能量分辨率。

3. 可在常溫下工作。SDD的電容和漏電流要比一般探測器小兩個數(shù)量級以上，通常把場效應管（FET）和Peltier效應器件都整合到一起，這樣儀器在常溫下就能滿足SDD的制冷需求，特別適用于便攜式設備的現(xiàn)場使用。

根據(jù)國家地質(zhì)實驗測試中心的報告，SDD探測器從1962年以Si探測器問世以來，Si-PIN、高純及四葉花瓣型Ge探測器、Si漂移、SDD等不同性能的探測器， SDD探測器在計算數(shù)與制造工藝的穩(wěn)定性方面取得突破，從而替代復雜的波長色散X射線光譜儀的Si-pIN探測器。