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混凝土電阻率測(cè)試儀以達(dá)到高精度測(cè)試微區(qū)的目標(biāo)
混凝土電阻率測(cè)試儀不僅從測(cè)量系統(tǒng)的本身具有使測(cè)試誤差達(dá)到zui小化的結(jié)構(gòu)保證，而且可以借助于圖像識(shí)別和伺服電機(jī)控制每個(gè)探針的調(diào)整（在調(diào)整時(shí)，需要利用控制 垂直運(yùn)動(dòng)的伺服電機(jī)，先抬起探針，調(diào)整之后再通過軟著陸的方式放下探針），保證探針測(cè)試位置的準(zhǔn)確；另外通過控制縱橫向伺服電機(jī)實(shí)現(xiàn)平臺(tái)的縱橫向移動(dòng)，使 硅片位置調(diào)整自動(dòng)化，并且能夠做到嚴(yán)格控制步進(jìn)的距離，混凝土電阻率測(cè)試儀可以實(shí)現(xiàn)zui小步距0.25μm，這樣就可以很方便地進(jìn)行大樣片的檢測(cè)，以達(dá)到高精度測(cè)試微區(qū)的目標(biāo)，并且可以極大地提高測(cè)試速度。
混凝土電阻率測(cè)試儀根據(jù)不同材料特性需要，探頭可有多款選配。有高耐磨碳化鎢探針探頭，以測(cè)試硅類半導(dǎo)體、金屬、導(dǎo)電塑料類等硬質(zhì)材料的電阻率/方阻；也有球形鍍金銅合金探針探頭，可測(cè)柔性材料導(dǎo)電薄膜、金屬涂層或薄膜、陶瓷或玻璃等基底上導(dǎo)電膜（ITO膜）或納米涂層等半導(dǎo)體材料的電阻率/方阻。混凝土電阻率測(cè)試儀換上四端子測(cè)試夾具，還可對(duì)電阻器體電阻、金屬導(dǎo)體的低、中值電阻以及開關(guān)類接觸電阻進(jìn)行測(cè)量。配探頭，也可測(cè)試電池極片等箔上涂層電阻率方阻。
混凝土電阻率測(cè)試儀采用四探針測(cè)試技術(shù)方法分為直線四探針法和方形四探針法。方形四探針法又分為豎直四探針法和斜置四探針法。方形四探針法具有測(cè)量較小微區(qū)的優(yōu)點(diǎn)，可以測(cè)試樣品 的不均勻性，微區(qū)及微樣品薄層電阻的測(cè)量多采用此方法。四探針法按發(fā)明人又分為Perloff法、Rymaszewski法、范德堡法、改進(jìn)的范德堡法 等。值得提出的是每種方法都對(duì)被測(cè)樣品的厚度和大小有一定的要求，當(dāng)不滿足條件時(shí)，必須考慮邊緣效應(yīng)和厚度效應(yīng)的修正問題。混凝土電阻率測(cè)試儀具有測(cè)量精度高、靈敏度高、穩(wěn)定性好、智能化程度高、結(jié)構(gòu)緊湊、使用簡(jiǎn)便等特點(diǎn)。適用于半導(dǎo)體材料廠器件廠、科研單位、高等院校對(duì)導(dǎo)體、半導(dǎo)體、類半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電性能的測(cè)試。
混凝土電阻率測(cè)試儀利用Rymaszewski法方形四探針測(cè)試原理研制出檢測(cè)硅芯片薄層電阻的方形四探針測(cè)試儀。該儀器利用斜置的探針，通過攝像頭，借助于計(jì)算機(jī)顯示器觀察探針測(cè)試位置，用伺服電機(jī)控制樣品平臺(tái)和探針的移動(dòng)，實(shí)現(xiàn)自動(dòng)調(diào)整與測(cè)試硅芯片的電阻率均勻性。
混凝土電阻率測(cè)試儀是運(yùn)用四探針測(cè)量原理測(cè)試電阻率/方阻的多用途綜合測(cè)量?jī)x器。主機(jī)主要由數(shù)控恒流源，高分辨率ADC、嵌入式單片機(jī)系統(tǒng)組成，自動(dòng)轉(zhuǎn)換量程。儀器所有參數(shù)設(shè)定、功能轉(zhuǎn)換全部采用一旋鈕輸入；具有零位、滿度自校功能；全自動(dòng)轉(zhuǎn)換量程；測(cè)試結(jié)果由數(shù)字表頭直接顯示。混凝土電阻率測(cè)試儀采用可充電電池供電，適合手持式變動(dòng)場(chǎng)合操作使用！
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