光致發(fā)光是半導(dǎo)體材料質(zhì)量鑒定的一個(gè)重要手段,適合于測(cè)量不同襯底上生長(zhǎng)的外延薄層,實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)采集和樣品制備簡(jiǎn)單,是非破壞性的,非常方便。光致發(fā)光光譜取決于實(shí)驗(yàn)樣品中非平衡載流子的輻射復(fù)合過(guò)程,與材料的能帶結(jié)構(gòu)、缺陷狀況、摻雜水平等因素有關(guān)。所以,通過(guò)光致發(fā)光光譜可以了解樣品的能帶結(jié)構(gòu)、發(fā)光機(jī)制等物理過(guò)程的信息,并反映出材料的質(zhì)量狀況。由于光致發(fā)光光譜直接測(cè)量了樣品的發(fā)光強(qiáng)度,在相同的測(cè)量條件下,可以對(duì)不同的樣品的相對(duì)發(fā)光效率作出比對(duì)。而且作為研究半導(dǎo)體電子態(tài)的一種手段,光致發(fā)光的優(yōu)點(diǎn)在于其靈敏度,尤其是它在光吸收實(shí)驗(yàn)靈敏度差的頻段內(nèi)有較高的靈敏度,二者可互為補(bǔ)充,并在半導(dǎo)體電子態(tài)研究中起重要作用。
光致發(fā)光實(shí)驗(yàn)技術(shù)的基本原理是,當(dāng)激發(fā)光源發(fā)出的光照射在被測(cè)樣品表面時(shí),由于激發(fā)光在材料中的吸收系數(shù)很大,通過(guò)本征吸收,在材料表面1微米以內(nèi)的區(qū)域里激發(fā)產(chǎn)生大量的電子-空穴對(duì),使樣品處于非平衡態(tài)。這些非平衡態(tài)載流子一邊向體內(nèi)擴(kuò)散,一邊發(fā)生復(fù)合。通過(guò)擴(kuò)散,發(fā)光區(qū)將擴(kuò)展到深入體內(nèi)約一個(gè)少子擴(kuò)散長(zhǎng)度的距離,電子-空穴對(duì)通過(guò)不同的復(fù)合機(jī)構(gòu)進(jìn)行復(fù)合。熒光在逸出表面之前會(huì)受到樣品本身的自吸收。熒光逸出表面以后經(jīng)會(huì)聚進(jìn)入單色儀分光,此后經(jīng)探測(cè)器接收轉(zhuǎn)變成電訊號(hào)并進(jìn)行放大和記錄,從而得到發(fā)光強(qiáng)度按光子能量分布的曲線,即光致發(fā)光光譜圖。
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