離子研磨儀-電鏡制樣是為SEM或TEM電鏡樣品制備設(shè)計(jì)的離子磨裝置,使用氬離子束蝕刻樣品的橫截面,避免了物理變形和結(jié)構(gòu)損傷,而不需要復(fù)雜的化學(xué)過(guò)程。
此外，該離子研磨儀通過(guò)處理從幾十微米到幾毫米的大面積，簡(jiǎn)化了樣品的橫截面分析。

離子研磨儀-電鏡制樣特點(diǎn)

每小時(shí)700μm的高蝕刻速率（基于Si，8kV）
能夠保存/加載經(jīng)常使用的配方
具有自動(dòng)執(zhí)行功能的分步配方
使用智能樣品架輕松裝載樣品
通過(guò)室內(nèi)攝像機(jī)實(shí)時(shí)觀察離子束狀態(tài)和蝕刻狀態(tài)
操作方便-直觀的GUI和簡(jiǎn)單的觸摸屏
通過(guò)離子束自動(dòng)開啟/關(guān)閉功能zui大限度地減少熱損傷
使用內(nèi)置數(shù)字顯微鏡與離子束快速方便地對(duì)準(zhǔn)樣品
帶噪音、振動(dòng)、無(wú)油隔膜泵
為大面積平面蝕刻提供平面銑削功能

離子研磨儀研磨過(guò)程

離子研磨儀-電鏡制樣規(guī)格參數(shù)

離子加速電壓：2-8KV

研磨速度：700?/h (at 8kV on Si wafer)

樣品臺(tái)擺角：±35°

zui大容納樣品尺寸：16(W) × 10(D) × 9.5(H)mm

樣品運(yùn)動(dòng)范圍：X axis : ±1.5mm，Y axis : ±2mm

平板掩模臺(tái)傾角：40° to 80°

平面研磨的樣品尺寸：?30 × 11.4(H)mm

控制：7英寸

數(shù)字顯微鏡放大倍率：5X，10x,20x,40x

氣體要求：氬氣（99.999%）

氣壓：0.1MPa

氣流控制：質(zhì)量流控制

尺寸：607(W) × 472(D) × 277.5(430.5)(H) mm

重量：36kg

離子研磨儀研磨結(jié)果