激光分子束外延系統(tǒng)Laser MBE是新型激光薄膜制備技術(shù)設(shè)備,它集成了普通分子束外延（MBE）的超高真空、原位監(jiān)測(cè)的*點(diǎn)和脈沖激光沉積（PLD）的易于控制化學(xué)組分的*點(diǎn)。
激光分子束外延系統(tǒng)特點(diǎn)
增長(zhǎng)的激光MBE解決方案：從PLD室和負(fù)載鎖開始，稍后添加*多模塊！
UHV PLD沉積室，通過負(fù)載鎖定對(duì)襯底和目標(biāo)進(jìn)行UHV傳輸
模塊化概念：輕松升級(jí)到中央傳輸模塊和附加模塊
**的工藝自動(dòng)化，也適用于超晶格沉積
具有**溫度測(cè)量功能的耐氧基板加熱器，1000°C
激光加熱基材可選
靈活的**目標(biāo)操縱器，具有交叉污染屏蔽和目標(biāo)轉(zhuǎn)盤傳送
為系統(tǒng)升級(jí)準(zhǔn)備的真空室（RHEED、等離子源、OES/FTIR等）
表面通量控制選項(xiàng)，100%可重復(fù)結(jié)果
全封閉梁線，操作方便、安全
交鑰匙交付
通過互聯(lián)網(wǎng)提供高級(jí)在線支持


PLD/激光MBE室
表面PLD/激光MBE室專為研究而設(shè)計(jì)，提供**激光MBE所需的所有功能：
襯底和PLD靶的超高壓傳輸
冷壁設(shè)計(jì)可防止在沉積時(shí)間內(nèi)從室壁放氣
用于原位分析的窗口和端口：RHEED、OES或FTIR、質(zhì)譜
用于附加沉積或等離子源的端口
**的表面襯底加熱器或激光加熱器
目標(biāo)操縱器保持一個(gè)轉(zhuǎn)盤，轉(zhuǎn)盤上***多有五個(gè)直徑為1”的PLD目標(biāo)
此外，用于向腔室中供應(yīng)工藝氣體的兩個(gè)質(zhì)量流量控制器通道是標(biāo)準(zhǔn)的。它們能夠自動(dòng)控制工藝氣氛和壓力。