替代FDD8874應(yīng)用無人機低壓mos管工藝
FDD8874VD MOSFET 的柵極結(jié)構(gòu)為平面式，當(dāng) Vgs 足夠大時，兩個源極之間會形成N 型導(dǎo)電溝道，使漏源極之間有電流流過。柵極和源極在硅片的上表面，而漏極連接到襯底的下表面，源極和漏極在晶圓的相對平面，當(dāng)電流從漏極流向源極時電流在硅片內(nèi)部垂直流動，因此可以充分應(yīng)用硅片的面積，來提高通過電流的能力，適用于功率 MOSFET 的應(yīng)用。N 溝道 MOSFET 襯底為高摻雜的 N+襯底，高摻雜部分的體電阻小，然后上面為 N-epi 層，上面有兩個連續(xù)的擴散區(qū) P-，溝道在 P-區(qū)形成，在 P-區(qū)內(nèi)部擴散形成 N+為源極，硅片表面形成柵極氧化物，多晶硅柵極材料沉積后，在連接到柵極的多晶硅層下面，就形成一個薄的高質(zhì)量氧化層從而產(chǎn)生溝道。
FDD8874對于100V-200V電壓段的高壓SGT MOSFET,常規(guī)結(jié)構(gòu)是在屏蔽柵溝槽的底部引入相對于頂層更高電阻率的外延層來承受反向電壓，為了優(yōu)化該高阻區(qū)域?qū).的影響，一種在屏蔽柵溝槽下方引入dson浮空P區(qū)域的SGT MOSFET結(jié)構(gòu)被提出和研究，為該結(jié)構(gòu)示意圖15.這種浮空P區(qū)域可以通過溝槽刻蝕及填充，多層掩埋外延層或者溝槽底部MeV量級的P型注入來實現(xiàn)，在SGT MOSFET屏蔽溝槽底部的漂移區(qū)中形成類似于超結(jié)的NP柱交替摻雜結(jié)構(gòu)，可以將常規(guī)結(jié)構(gòu)屏蔽溝槽下方的漂移區(qū)濃度提高一個數(shù)量級，因而可以大大減小器件R.此dson O外，這種結(jié)構(gòu)可以在常規(guī) SGT MOSFET(頂部）和SJ狀結(jié)構(gòu)（底部）之間分配反向電壓，由于MOS區(qū)域和p-n結(jié)彼此獨立，器件內(nèi)的反向電壓在兩者的分配比例比是可調(diào)的，可以通過減小屏蔽溝槽的深度來減少Coss和常規(guī)SGT MOSFET在高電壓下的電場不均勻性。這種結(jié)構(gòu)針對SGT MOSFET不同電壓節(jié)點以及特定應(yīng)用的R－Coss取得了良好的折衷優(yōu)化。dson相對于常規(guī)結(jié)構(gòu)SGT MOSFET,即使在MHz的高頻應(yīng)用場合下器件R的降幅仍然達(dá)到了30%以上。dson由于浮空P區(qū)域在高頻下存在未耗盡的情況，該結(jié)構(gòu)在40-90V范圍內(nèi)存在C.較常規(guī)結(jié)構(gòu)增大的OSS情況，但總體而言，端情況下該結(jié)構(gòu)仍能將動態(tài)R＊降低17%以上。OdsonOSS在SGT MOSFET 新的研究結(jié)果中，一種提高
高壓SGT比導(dǎo)通電阻的三層epi結(jié)構(gòu) SGT MOSFET被提出和研究16.在雙層EPI結(jié)構(gòu)中，頂層EPI和底層EPI的作用分別是調(diào)整器件電場分布、降低Ldson和支撐反向電壓；三層EPI結(jié)構(gòu)中頂層與底層EPI的作用與雙層EPI結(jié)構(gòu)相同，此外可以中間更低的
電阻率的EPI層調(diào)整兩個溝槽之間的電場分布，達(dá)到降低器件Rp的作用。


替代FDD8874常見問題
過快的充電會導(dǎo)致激烈的米勒震蕩，但過慢的充電雖減小了震蕩，但會延長開關(guān)從而增加開關(guān)損耗。MOS 開通過程源級和漏級間等效電阻相當(dāng)于從無窮大電阻到阻值很小的導(dǎo)通內(nèi)阻（導(dǎo)通內(nèi)阻一般低壓 MOS 只有幾毫歐姆）的一個轉(zhuǎn)變過程。
比如一個 MOS 大電流 100a，電池電壓 96v，在開通過程中，有那么一瞬間（剛進入米勒平臺時）MOS 發(fā)熱功率是 P=V*I（此時電流已達(dá)，負(fù)載尚未跑起來，所有的功率都降落在 MOS 管上），P=96*100=9600w！這時它發(fā)熱功率大，然后發(fā)熱功率迅速降低直到*導(dǎo)通時功率變成 100*100*0.003=30w（這里假設(shè)這個 MOS 導(dǎo)通內(nèi)阻 3 毫歐姆）。開關(guān)過程中這個發(fā)熱功率變化是驚人的。
如果開通時間慢，意味著發(fā)熱從 9600w 到 30w 過渡的慢，MOS 結(jié)溫會升高的厲害。所以開關(guān)越慢，結(jié)溫越高，容易燒 MOS。為了不燒 MOS，只能降低 MOS 限流或者降低電池電壓，比如給它限制 50a 或電壓降低一半成 48v，這樣開關(guān)發(fā)熱損耗也降低了一半。不燒管子了。
這也是高壓控容易燒管子原因，高壓控制器和低壓的只有開關(guān)損耗不一樣（開關(guān)損耗和電池端電壓基本成正比，假設(shè)限流一樣），導(dǎo)通損耗*受 MOS 內(nèi)阻決定，和電池電壓沒任何關(guān)系。
其實整個 MOS 開通過程非常復(fù)雜。里面變量太多?？傊褪情_關(guān)慢不容易米勒震蕩，但開關(guān)損耗大，管子發(fā)熱大，開關(guān)速度快理論上開關(guān)損耗低（只要能有效抑制米勒震蕩），但是往往米勒震蕩很厲害（如果米勒震蕩很嚴(yán)重，可能在米勒平臺就燒管子了），反而開關(guān)損耗也大，并且上臂 MOS 震蕩更有可能引起下臂 MOS 誤導(dǎo)通，形成上下臂短路。
所以這個很考驗設(shè)計師的驅(qū)動電路布線和主回路布線技能。最終就是找個平衡點（一般開通過程不超過 1us）。開通損耗這個，只和導(dǎo)通電阻成正比，想大電流低損耗找內(nèi)阻低的。


例

鋰電池保護板做充放電開關(guān)使用

一般情況下，MOS都處于開或關(guān)的狀態(tài)，不用考慮MOS的開關(guān)速度，會在整體電路上設(shè)計了快速關(guān)閉回路。
要注意以下幾個點：
1，注意DS電壓，設(shè)計選型留有足夠的余量。按照1.5倍MOS管的BVDDS
2，注意工作電流與保護電流，經(jīng)驗值是3~4倍以上為MOS的ID(DC) 。
3，多顆MOS并聯(lián)，電流的余量盡量再大一點。
4，走大電流的方案，要綜合考慮封裝散熱，內(nèi)阻。
5，驅(qū)動電壓要了解，盡量使MOS工作在*開啟狀態(tài)，對于單片機驅(qū)動的方案，盡量推薦低開啟的MOS。
另外在選用MOS管時要注意溝道類型，BVDDS ，ID導(dǎo)通電流，VGS(th)，RDSON這幾項參數(shù)。

公司介紹
華鎂公司，為一家專業(yè)功率半導(dǎo)體組件(MOSFET)和集成電路芯片的設(shè)計公司。憑借著堅實的產(chǎn)品開發(fā)、營銷業(yè)務(wù)及營運團隊。提供性能優(yōu)異、高信賴性、高性價比的產(chǎn)品及滿足客戶需求的服務(wù)，已獲得眾多客戶于其節(jié)能電子產(chǎn)品中的廣泛使用。目前華鎂可提供的功率半導(dǎo)體元器件產(chǎn)品(12V~1200V)和集成電路芯片（鋰電保護和控制驅(qū)動芯片），產(chǎn)品應(yīng)用范圍含蓋計算機(個人計算機與服務(wù)器)、電源供應(yīng)器、通訊電子產(chǎn)品、手持式電子裝置、消費性產(chǎn)品及工業(yè)應(yīng)用產(chǎn)品等。
華鎂整個團隊秉持著“成就客戶、努力奮斗、持續(xù)學(xué)習(xí)、進取創(chuàng)新、誠信正直、團隊合作”理念，并已累積15年以上的產(chǎn)品開發(fā)經(jīng)驗及50余個
華鎂研發(fā)總部設(shè)在中國臺灣新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū)（302 新竹縣竹北市），國內(nèi)研發(fā)和應(yīng)用總部位于張家港市和蕪湖市，國內(nèi)市場主要以成品及Wafer銷售和配套服務(wù)為主。

替代FDD8874應(yīng)用無人機低壓mos管封裝
FDD8874插針網(wǎng)格陣列封裝（PGA）
FDD8874PGA（Pin Grid Array Package）芯片內(nèi)外有多個方陣形的插針，每個方陣形插針沿芯片的四周間隔一定距離排列，根據(jù)管腳數(shù)目的多少，可以圍成2～5圈。安裝時，將芯片插入專門的PGA插座即可，具有插拔方便且可靠性高的優(yōu)勢，能適應(yīng)更高的頻率。



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