替代FDD6670應(yīng)用平衡車碳化硅mos管工藝
FDD6670LD MOSFET 特點(diǎn)：制造工藝簡單、具有低結(jié)電容，因此開關(guān)速度快；但該工藝 MOSFET 因不能充分應(yīng)用硅片尺寸，電流和電壓的額定值受到限制，功率等級??；一般主要適合低壓場合應(yīng)用，如微處理器、運(yùn)放、數(shù)字電路及射頻電路。因LD MOSFET 的功率處理能力低下促使垂直導(dǎo)電型 V MOSFET 的出現(xiàn)，VMOSFET 分為 VV MOSFET 和 VU MOSFET 兩種結(jié)構(gòu)。
FDD6670濕法 DHF 工藝分三步：DHF 藥液浸蝕、去離子水（DIW）清洗、干燥。DHF 刻蝕自然氧化層的反應(yīng)化學(xué)方程式如下：SiO2 + 2HF2- + 2H3O+ ? SiF4+ 4H2O   SiF4 + 2HF ? H2SiF6 生成物可溶于水，通過去離子水（DIW）清洗去除[1]。自然氧化層刻蝕掉后，晶圓表面呈現(xiàn)斥水性，容易吸附 DIW 中的顆粒。特別是該工藝，晶圓表面布滿溝槽，顆粒比較容易隱藏在溝槽底部。

替代FDD6670常見問題
FDD6670MOS 開關(guān)原理（簡要）。MOS 是電壓驅(qū)動(dòng)型器件，只要柵極和源級間給一個(gè)適當(dāng)電壓，源級和漏級間通路就形成。這個(gè)電流通路的電阻被成為 MOS 內(nèi)阻，就是導(dǎo)通電阻。這個(gè)內(nèi)阻大小基本決定了 MOS 芯片能承受的大導(dǎo)通電流（當(dāng)然和其它因素有關(guān)，有關(guān)的是熱阻）。內(nèi)阻越小承受電流越大（因?yàn)榘l(fā)熱?。?。
FDD6670MOS 問題遠(yuǎn)沒這么簡單，麻煩在它的柵極和源級間，源級和漏級間，柵極和漏級間內(nèi)部都有等效電容。所以給柵極電壓的過程就是給電容充電的過程（電容電壓不能突變），所以 MOS 源級和漏級間由截止到導(dǎo)通的開通過程受柵極電容的充電過程制約。
然而，這三個(gè)等效電容是構(gòu)成串并聯(lián)組合關(guān)系，它們相互影響，并不是獨(dú)立的，如果獨(dú)立的就很簡單了。其中一個(gè)關(guān)鍵電容就是柵極和漏級間的電容 Cgd，這個(gè)電容業(yè)界稱為米勒電容。這個(gè)電容不是恒定的，隨柵極和漏級間電壓變化而迅速變化。這個(gè)米勒電容是柵極和源級電容充電的絆腳石，因?yàn)闁艠O給柵 - 源電容 Cgs 充電達(dá)到一個(gè)平臺后，柵極的充電電流必須給米勒電容 Cgd 充電，這時(shí)柵極和源級間電壓不再升高，達(dá)到一個(gè)平臺，這個(gè)是米勒平臺（米勒平臺就是給 Cgd 充電的過程），米勒平臺大家首先想到的麻煩就是米勒振蕩。（即，柵極先給 Cgs 充電，到達(dá)一定平臺后再給 Cgd 充電）
因?yàn)檫@個(gè)時(shí)候源級和漏級間電壓迅速變化，內(nèi)部電容相應(yīng)迅速充放電，這些電流脈沖會(huì)導(dǎo)致 MOS 寄生電感產(chǎn)生很大感抗，這里面就有電容，電感，電阻組成震蕩電路（能形成 2 個(gè)回路），并且電流脈沖越強(qiáng)頻率越高震蕩幅度越大。所以最關(guān)鍵的問題就是這個(gè)米勒平臺如何過渡。
Gs 極加電容，減慢 MOS 管導(dǎo)通時(shí)間，有助于減小米勒振蕩。防止 MOS 管燒毀。


例

鋰電池保護(hù)板做充放電開關(guān)使用

一般情況下，MOS都處于開或關(guān)的狀態(tài)，不用考慮MOS的開關(guān)速度，會(huì)在整體電路上設(shè)計(jì)了快速關(guān)閉回路。
要注意以下幾個(gè)點(diǎn)：
1，注意DS電壓，設(shè)計(jì)選型留有足夠的余量。按照1.5倍MOS管的BVDDS
2，注意工作電流與保護(hù)電流，經(jīng)驗(yàn)值是3~4倍以上為MOS的ID(DC) 。
3，多顆MOS并聯(lián)，電流的余量盡量再大一點(diǎn)。
4，走大電流的方案，要綜合考慮封裝散熱，內(nèi)阻。
5，驅(qū)動(dòng)電壓要了解，盡量使MOS工作在*開啟狀態(tài)，對于單片機(jī)驅(qū)動(dòng)的方案，盡量推薦低開啟的MOS。
另外在選用MOS管時(shí)要注意溝道類型，BVDDS ，ID導(dǎo)通電流，VGS(th)，RDSON這幾項(xiàng)參數(shù)。

公司介紹
華鎂公司，為一家專業(yè)功率半導(dǎo)體組件(MOSFET)和集成電路芯片的設(shè)計(jì)公司。憑借著堅(jiān)實(shí)的產(chǎn)品開發(fā)、營銷業(yè)務(wù)及營運(yùn)團(tuán)隊(duì)。提供性能優(yōu)異、高信賴性、高性價(jià)比的產(chǎn)品及滿足客戶需求的服務(wù)，已獲得眾多客戶于其節(jié)能電子產(chǎn)品中的廣泛使用。目前華鎂可提供的功率半導(dǎo)體元器件產(chǎn)品(12V~1200V)和集成電路芯片（鋰電保護(hù)和控制驅(qū)動(dòng)芯片），產(chǎn)品應(yīng)用范圍含蓋計(jì)算機(jī)(個(gè)人計(jì)算機(jī)與服務(wù)器)、電源供應(yīng)器、通訊電子產(chǎn)品、手持式電子裝置、消費(fèi)性產(chǎn)品及工業(yè)應(yīng)用產(chǎn)品等。
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替代FDD6670應(yīng)用平衡車碳化硅mos管封裝
FDD6670表面貼裝式封裝
FDD6670隨著技術(shù)的發(fā)展，目前主板、顯卡等的PCB板采用直插式封裝方式的越來越少，更多地選用了表面貼裝式封裝方式。
FDD66701、雙列直插式封裝（DIP）
FDD6670DIP封裝有兩排引腳，需要插入到具有DIP結(jié)構(gòu)的芯片插座上，其派生方式為SDIP（Shrink DIP），即緊縮雙入線封裝，較DIP的針腳密度高6倍。
FDD6670DIP封裝結(jié)構(gòu)形式有：多層陶瓷雙列直插式DIP、單層陶瓷雙列直插式DIP、引線框架式DIP（含玻璃陶瓷封接式、塑料包封結(jié)構(gòu)式、陶瓷低熔玻璃封裝式）等。DIP封裝的特點(diǎn)是可以很方便地實(shí)現(xiàn)PCB板的穿孔焊接，和主板有很好的兼容性。
FDD6670但由于其封裝面積和厚度都比較大，而且引腳在插拔過程中很容易被損壞，可靠性較差；同時(shí)由于受工藝的影響，引腳一般都不超過100個(gè)，因此在電子產(chǎn)業(yè)高度集成化過程中，DIP封裝逐漸退出了歷史舞臺。
FDD66702、晶體管外形封裝（TO）
FDD6670屬于早期的封裝規(guī)格，例如TO-3P、TO-247、TO-92、TO-92L、TO-220、TO-220F、TO-251等都是插入式封裝設(shè)計(jì)。
FDD6670TO-3P/247：是中高壓、大電流MOS管常用的封裝形式，產(chǎn)品具有耐壓高、抗擊穿能力強(qiáng)等特點(diǎn)。
FDD6670TO-220/220F：TO-220F是全塑封裝，裝到散熱器上時(shí)不必加絕緣墊；TO-220帶金屬片與中間腳相連，裝散熱器時(shí)要加絕緣墊。這兩種封裝樣式的MOS管外觀差不多，可以互換使用。
FDD6670TO-251：該封裝產(chǎn)品主要是為了降低成本和縮小產(chǎn)品體積，主要應(yīng)用于中壓大電流60A以下、高壓7N以下環(huán)境中。
FDD6670TO-92：該封裝只有低壓MOS管（電流10A以下、耐壓值60V以下）和高壓1N60/65在采用，目的是降低成本。
FDD6670近年來，由于插入式封裝工藝焊接成本高、散熱性能也不如貼片式產(chǎn)品，使得表面貼裝市場需求量不斷增大，也使得TO封裝發(fā)展到表面貼裝式封裝。TO-252（又稱之為D-PAK）和TO-263（D2PAK）就是表面貼裝封裝。



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