代換FDD8880應(yīng)用5串生產(chǎn)mos管封裝
FDD8880封裝內(nèi)部的互連技術(shù)
FDD8880TO、D-PAK、SOT、SOP等采用焊線式的內(nèi)部互連封裝技術(shù)，當(dāng)CPU或GPU供電發(fā)展到低電壓、大電流時代，焊線式的SO-8封裝就受到了封裝電阻、封裝電感、PN結(jié)到PCB和外殼熱阻等因素的限制。

代換IRLR8726常見問題
IRLR8726皆振失效：功率MOS管并聯(lián)而不插入柵極電阻但直接連接時發(fā)生的柵極寄生振蕩。
漏源電壓在高速下反復(fù)接通和斷開時，這種寄生振蕩發(fā)生在由柵極漏極電容Cgd(Crss)和柵極pin電感Lg構(gòu)成的諧振電路中。
建立共振條件（ωL=1/ωC)時，在柵極和源極之間施加遠(yuǎn)大于驅(qū)動電壓Vgs(in)的振動電壓，柵極因超過柵極源額定電壓而損壞，漏源電壓開關(guān)時的振動電壓通過柵極漏極電容器Cgd和Vgs的重疊波形產(chǎn)生正反饋，可能引起故障引起振蕩破壞。
皆振失效預(yù)防措施：且力可以抑制由于阻尼引起的振蕩。然而，將一個小電阻串聯(lián)到柵極上并不能解決振蕩阻尼問題，主要原因是驅(qū)動電路的阻抗匹配和功率管開關(guān)時間的周整。

需要了解更多關(guān)于替代FDD8880應(yīng)用5串生產(chǎn)mos管信息，請聯(lián)系我們的客戶經(jīng)理！
華鎂用“芯”為您服務(wù)-替代FDD8880應(yīng)用5串生產(chǎn)mos管