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PN型測(cè)試儀

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

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公司成立于2021年,是一家注冊(cè)在蘇州、具備技術(shù)的非接觸式半導(dǎo)體檢測(cè)分析設(shè)備制造商。公司集研發(fā)、設(shè)計(jì)、制造、銷(xiāo)售于一體,主要攻克國(guó)外壟斷技術(shù),替代進(jìn)口產(chǎn)品,使半導(dǎo)體材料測(cè)試設(shè)備國(guó)產(chǎn)化。

主要產(chǎn)品:非接觸式無(wú)損方塊電阻測(cè)試儀、晶圓方阻測(cè)試儀、方阻測(cè)試儀、硅片電阻率測(cè)試儀、渦流法高低電阻率分析儀、晶錠電阻率分析儀、渦流法電阻率探頭和PN探頭測(cè)試儀、遷移率(霍爾)測(cè)試儀、少子壽命測(cè)試儀,晶圓、硅片厚度測(cè)試儀、表面光電壓儀JPV\SPV、汞CV、ECV。碳化硅、硅片、氮化鎵、襯底和外延廠商提供測(cè)試和解決方案。

憑借*的技術(shù)和豐富的產(chǎn)品設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)申請(qǐng)各項(xiàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)20余項(xiàng),已發(fā)展成為中國(guó)大陸少數(shù)具有一定國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力的半導(dǎo)體專(zhuān)用設(shè)備提供商,產(chǎn)品得到眾多國(guó)內(nèi)外主流半導(dǎo)體廠商的認(rèn)可,并取得良好的市場(chǎng)口碑。





晶圓電阻率測(cè)試儀,硅片電阻率測(cè)試儀,渦流法低電阻率分析儀,晶錠電阻率分析儀,遷移率測(cè)試儀,少子壽命測(cè)試儀

價(jià)格區(qū)間 10萬(wàn)-30萬(wàn) 應(yīng)用領(lǐng)域 電子/電池

PN型測(cè)試儀特點(diǎn):

導(dǎo)電性:n型硅片具有良好的電子導(dǎo)電性。它的導(dǎo)電性主要來(lái)源于額外添加的五價(jià)元素如磷或砷,這些元素會(huì)提供自由電子,使得n型硅片帶負(fù)電荷。相反,p型硅片則通過(guò)摻入三價(jià)元素如硼或鋁,形成空穴??昭ㄔ谶@種材料中具有正電荷,從而導(dǎo)致p型硅片呈現(xiàn)出正電導(dǎo)特性。

雜質(zhì)摻入:n型和p型硅片的區(qū)別還在于摻雜的雜質(zhì)類(lèi)型和濃度。n型硅片通常通過(guò)在硅晶體中引入少量的五價(jià)元素來(lái)形成,以增加自由電子數(shù)量。這些雜質(zhì)被稱(chēng)為施主雜質(zhì)。相反,p型硅片需要引入三價(jià)元素作為受主雜質(zhì),以捕獲并增加電子空穴。

工作原理:n型和p型硅片的不同導(dǎo)致了半導(dǎo)體器件的工作原理差異。當(dāng)n型和p型硅片通過(guò)特定方式連接時(shí),形成了一個(gè)結(jié)構(gòu)稱(chēng)為PN結(jié)。PN結(jié)具有整流特性,即只允許電流在一個(gè)方向上通過(guò)。這種特性使得硅片可以用于制造二極管、晶體管和其他各種半導(dǎo)體器件。

應(yīng)用領(lǐng)域:n型和p型硅片在不同的應(yīng)用領(lǐng)域發(fā)揮著重要作用。n型硅片通常用于制造電子器件如晶體管和集成電路,而p型硅片則廣泛應(yīng)用于太陽(yáng)能電池板等光電器件的制造。

硅片厚度也是影響生產(chǎn)力的一個(gè)因素,因?yàn)樗P(guān)系到每個(gè)硅塊所生產(chǎn)出的硅片數(shù)量。超薄的硅片給線鋸技術(shù)提出了額外的挑戰(zhàn),因?yàn)槠渖a(chǎn)過(guò)程要困難得多。除了硅片的機(jī)械脆性以外,如果線鋸工藝沒(méi)有精密控制,細(xì)微的裂紋和彎曲都會(huì)對(duì)產(chǎn)品良率產(chǎn)生負(fù)面影響。超薄硅片線鋸系統(tǒng)必須可以對(duì)工藝線性、切割線速度和壓力、以及切割冷卻液進(jìn)行精密控制。

PN型測(cè)試儀技術(shù)參數(shù):

重量

35kg

尺寸

460mm(長(zhǎng))×505mm(寬)×205mm(高)

接口

以太網(wǎng)口×1,DB9×1

電源線接口×1,腳踏開(kāi)關(guān)×1

開(kāi)關(guān)按鈕×1,氣源口×1

硅片要求

方片:125mm×125mm,156mm×156mm

圓片(寸):4”,5”,6”,8”,12”

硅片厚度范圍:50μm~1000μm

硅片電阻率范圍:0.1?·cm~20?·cm(電阻率范圍可定制)(厚度約180μm)

數(shù)據(jù)指標(biāo)

單點(diǎn)及多點(diǎn)厚度

誤差≤±3.00μm

重復(fù)性≤±0.5μm

電阻率

誤差≤±2%

重復(fù)性≤0.5%

環(huán)境要求

溫度

22℃~25℃

濕度

35%~60%RH





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