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SI 500 C 等離子體蝕刻系統(tǒng)

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱(chēng) 深圳市矢量科學(xué)儀器有限公司
  • 品牌 SENTECH
  • 型號(hào) SI 500 C
  • 產(chǎn)地
  • 廠商性質(zhì) 經(jīng)銷(xiāo)商
  • 更新時(shí)間 2025/6/5 17:26:15
  • 訪問(wèn)次數(shù) 417
產(chǎn)品標(biāo)簽

低溫蝕刻

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深圳市矢量科學(xué)儀器有限公司是集半導(dǎo)體儀器裝備代理及技術(shù)服務(wù)的高新技術(shù)企業(yè)。

致力于提供半導(dǎo)體前道制程工藝裝備、后道封裝裝備、半導(dǎo)體分析測(cè)試設(shè)備、半導(dǎo)體光電測(cè)試儀表及相關(guān)儀器裝備維護(hù)、保養(yǎng)、售后技術(shù)支持及實(shí)驗(yàn)室整體服務(wù)。

公司目前已授實(shí)用新型權(quán)利 29 項(xiàng),軟件著作權(quán) 14 項(xiàng),是創(chuàng)新型中小企業(yè)、科技型中小企業(yè)、規(guī)模以上工業(yè)企業(yè)。










冷熱臺(tái),快速退火爐,光刻機(jī),納米壓印、磁控濺射,電子束蒸發(fā)

主要功能與優(yōu)勢(shì)

低損傷等離子體蝕刻

由于離子能量低和離子能量分布窄,因此可以使用SENTECH ICP蝕刻工具進(jìn)行低損傷蝕刻和納米結(jié)構(gòu)。

使用低溫加工的深硅蝕刻

電感耦合 SENTECH SI 500 C 低溫 ICP-RIE 等離子體蝕刻系統(tǒng)設(shè)計(jì)用于硅的低溫蝕刻以獲得光滑的側(cè)壁、室溫下的硅蝕刻以及使用氣體切碎工藝的深硅蝕刻,應(yīng)用在流體學(xué)、傳感器、光電子學(xué)、光子學(xué)和量子技術(shù)中。

SENTECH專(zhuān)有的等離子體源技術(shù)

SENTECH 平面三重螺旋天線 (PTSA) 是一種 ICP 等離子體源。PTSA 源產(chǎn)生具有高離子密度和低離子能量的均勻等離子體,適用于傳感器和量子點(diǎn)的低損傷蝕刻。它具有高耦合效率和非常好的點(diǎn)火性能,適用于處理各種材料和結(jié)構(gòu)。

動(dòng)態(tài)溫度控制

等離子體蝕刻過(guò)程中的襯底溫度設(shè)置和穩(wěn)定性是高質(zhì)量蝕刻的嚴(yán)格標(biāo)準(zhǔn)。具有動(dòng)態(tài)溫度控制功能的襯底電極與氦氣背面冷卻和襯底背面溫度傳感相結(jié)合,可在很寬的溫度范圍內(nèi)提供出色的工藝條件。通常,低溫電極使用液氮冷卻,但是,低溫電極也可用于使用冷卻器進(jìn)行室溫處理。有一個(gè)選項(xiàng)可用于在低溫蝕刻和室溫蝕刻之間自動(dòng)切換。

SENTECH SI 500 C 低溫 ICP-RIE 等離子體蝕刻系統(tǒng)代表了電感耦合等離子體 (ICP) 處理的前沿技術(shù),其最寬溫度范圍為 -150 °C 至 150 °C。 該工具包括 ICP 等離子體源 PTSA、一個(gè)動(dòng)態(tài)溫控基板電極、一個(gè)受控的真空系統(tǒng)和一個(gè)非常易于操作的用戶界面。靈活性和模塊化是 SENTECH SI 500 C 低溫 ICP-RIE 等離子蝕刻系統(tǒng)的設(shè)計(jì)特點(diǎn)。該系統(tǒng)可以配置為處理各種精細(xì)結(jié)構(gòu),包括但不限于Si、SiO2四3N4、砷化鎵和 InP。

靈活性和模塊化

從150 mm晶圓到直徑200 mm的各種襯底,以及載體上的襯底,都可以通過(guò)SENTECH SI 500 Ccrogenic ICP-RIE等離子蝕刻系統(tǒng)中內(nèi)置的靈活負(fù)載鎖來(lái)處理。單晶圓真空負(fù)載鎖定保證了穩(wěn)定的工藝條件,并允許直接切換工藝。

SENTECH提供不同級(jí)別的自動(dòng)化,從真空盒裝載到最多六端口集群配置的單工藝腔室,不同的蝕刻和沉積模塊提供高靈活性和高吞吐量。該系統(tǒng)還可以作為過(guò)程模塊集成到集群配置中。

SENTECH SI 500 C系統(tǒng)由先進(jìn)的硬件和SIA操作軟件控制,具有客戶端-服務(wù)器架構(gòu)。一個(gè)經(jīng)過(guò)充分驗(yàn)證的可靠可編程邏輯控制器(PLC)用于所有組件的實(shí)時(shí)控制。




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