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Pangea® A 系列 12英寸離子束塑形(IBS) 設(shè)備

具體成交價以合同協(xié)議為準
  • 公司名稱 深圳市矢量科學儀器有限公司
  • 品牌 魯汶
  • 型號 Pangea® A 系列
  • 產(chǎn)地
  • 廠商性質(zhì) 經(jīng)銷商
  • 更新時間 2025/6/5 21:13:49
  • 訪問次數(shù) 901
產(chǎn)品標簽

離子束刻蝕

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深圳市矢量科學儀器有限公司是集半導體儀器裝備代理及技術(shù)服務(wù)的高新技術(shù)企業(yè)。

致力于提供半導體前道制程工藝裝備、后道封裝裝備、半導體分析測試設(shè)備、半導體光電測試儀表及相關(guān)儀器裝備維護、保養(yǎng)、售后技術(shù)支持及實驗室整體服務(wù)。

公司目前已授實用新型權(quán)利 29 項,軟件著作權(quán) 14 項,是創(chuàng)新型中小企業(yè)、科技型中小企業(yè)、規(guī)模以上工業(yè)企業(yè)。










冷熱臺,快速退火爐,光刻機,納米壓印、磁控濺射,電子束蒸發(fā)

1. 產(chǎn)品概述

Pangea®A系列常規(guī)IBS設(shè)備由離子源柵極引出正離子并加速,中性束流撞擊樣品表面,濺射形成刻蝕圖像。由于等離子體的產(chǎn)生遠離晶圓空間,起輝不受非揮發(fā)性副產(chǎn)物的影響。這種物理方案,幾乎可以用來刻蝕任何固體材料,包括金屬、合金、氧化物、化合物、混合材料、半導體、絕緣體等。柵網(wǎng)拉出的離子束的能量和密度可以獨立控制,提升了工藝可控性;載片臺的角度可調(diào)整,實現(xiàn)離子束傾斜入射,可用于特殊圖案的刻蝕,也適用于側(cè)壁清洗等工藝。

2. 系統(tǒng)特性

Pangea®A系列適用于12英寸晶圓,配置大口徑離子源,刻蝕均勻性(1 σ)達到< 1%

樣品臺可偏轉(zhuǎn)(tilt),偏轉(zhuǎn)范圍:-90°到+80°,實現(xiàn)離子束傾斜入射

工藝過程中,樣品臺可自轉(zhuǎn)

可搭配多種傳輸模塊




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干法清洗設(shè)備


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