8寸槽式濕法清洗設(shè)備是半導(dǎo)體制造中關(guān)鍵的基礎(chǔ)工藝設(shè)備，專(zhuān)為8英寸晶圓的高效化學(xué)清洗而設(shè)計(jì)。其采用多槽串聯(lián)結(jié)構(gòu)，集成標(biāo)準(zhǔn)化清洗工藝（如SC1、SC2、DHF等），可有效去除晶圓表面的顆粒、有機(jī)物、金屬污染及氧化層，滿(mǎn)足從90nm到制程（如28nm）的清洗需求。設(shè)備結(jié)合自動(dòng)化控制、流體力學(xué)優(yōu)化與高潔凈度設(shè)計(jì)，兼具高產(chǎn)能、低缺陷率和工藝靈活性，廣泛應(yīng)用于8~12英寸BCD芯片、MEMS、功率器件及封裝領(lǐng)域。

核心功能與技術(shù)優(yōu)勢(shì)

多槽模塊化設(shè)計(jì)

設(shè)備由多個(gè)獨(dú)立槽體組成（如去膠槽、清洗槽、漂洗槽、干燥槽），支持定制化工藝組合，滿(mǎn)足不同污染物的去除需求。

槽體材質(zhì)采用耐腐蝕PFA或PTFE涂層，兼容HF、H?O?、NH?OH等強(qiáng)腐蝕性化學(xué)品，確保長(zhǎng)期穩(wěn)定性。

高精度工藝控制

溫度與濃度管理：通過(guò)PID溫控系統(tǒng)（±0.5℃）和在線(xiàn)濃度監(jiān)測(cè)（如折射儀），實(shí)時(shí)調(diào)節(jié)化學(xué)液參數(shù)，保證清洗均勻性。

流體動(dòng)力學(xué)優(yōu)化：采用溢流式循環(huán)或超聲波輔助清洗，減少晶圓表面殘留，提升邊緣區(qū)域清潔效果。

時(shí)間同步控制：各槽體工藝時(shí)間獨(dú)立可調(diào)，支持快速切換SC1/SC2等標(biāo)準(zhǔn)流程或自定義配方。

高效產(chǎn)能與自動(dòng)化

單臺(tái)設(shè)備產(chǎn)能可達(dá)120~180片/小時(shí)（視工藝復(fù)雜度），支持24小時(shí)連續(xù)運(yùn)行。

可選配自動(dòng)上下料系統(tǒng)（如機(jī)械臂或Cassette-less接口），實(shí)現(xiàn)與前后道工序的無(wú)縫銜接，降低人工干預(yù)風(fēng)險(xiǎn)。

超潔凈度保障

顆?？刂疲翰垠w內(nèi)部采用拋光處理（Ra<0.2μm），配合過(guò)濾系統(tǒng)（0.1μm~1μm），確?；瘜W(xué)液潔凈度達(dá)Class 10標(biāo)準(zhǔn)。

干燥技術(shù)：集成Marangoni干燥或IPA（異丙醇）甩干模塊，避免水痕殘留，顆粒添加量<5顆/cm2。

交叉污染防護(hù)：槽間隔離設(shè)計(jì)+DIW（去離子水）分級(jí)沖洗，防止工藝間化學(xué)殘留。

兼容性與擴(kuò)展性

支持8~12英寸晶圓（需升級(jí)載具），適配正/負(fù)光刻膠去膠、鋁/銅金屬腐蝕、氧化物去除等多種場(chǎng)景。

可集成物聯(lián)網(wǎng)（IoT）模塊，實(shí)時(shí)上傳工藝數(shù)據(jù)（如清洗速率、缺陷分布），支持MES系統(tǒng)對(duì)接。

典型應(yīng)用場(chǎng)景

90nm~28nm制程清洗：用于去除光刻后殘留膠、蝕刻后金屬污染及CVD/PVD薄膜生長(zhǎng)前的基底清潔。

功率器件制造：硅基IGBT、碳化硅（SiC）MOSFET的背面金屬清洗與鈍化層去除。

MEMS工藝：體硅刻蝕后的深槽清洗及釋放結(jié)構(gòu)的表面處理。

封裝：扇出型封裝（Fan-out）中的晶圓臨時(shí)鍵合/解合前清洗。

適用行業(yè)：集成電路制造、功率半導(dǎo)體、MEMS傳感器、封裝（FO-WLP、3D封裝）。

服務(wù)支持：提供工藝調(diào)試、耗材供應(yīng)（清洗液、DIW過(guò)濾單元）、終身維護(hù)及升級(jí)改造方案