晶圓濕制程設備是半導體制造中的工藝設備，通過化學溶液處理技術，實現(xiàn)晶圓表面的清洗、蝕刻、顯影、去膠及表面改性等關鍵制程。其廣泛應用于前道晶圓制造（如光刻、CMP后處理）和后道封裝環(huán)節(jié)，適配4-12英寸晶圓，支持制程（如FinFET、GAA、3D封裝）對微小結構、低k材料和高潔凈度的嚴苛要求。

核心特點

精準工藝控制

化學配方優(yōu)化：支持BOE（緩沖氧化蝕刻液）、SC-1/SC-2（RCA標準液）、DHF（稀釋氫氟酸）等多類化學體系，可定制化調(diào)配濃度與溫度，實現(xiàn)SiO?:Si>100:1的選擇性蝕刻，避免基底損傷。

均勻性保障：采用噴淋、浸泡或超聲波清洗模式，結合流體力學仿真設計，確保整批晶圓處理一致性（如厚度偏差<±0.5%）。

高效自動化生產(chǎn)

模塊化集成：集預處理、蝕刻、漂洗、干燥（IPA蒸干+氮氣吹掃）于一體，單臺設備處理速度達200-400片/小時（12英寸晶圓）。

智能程序控制：預設工藝參數(shù)（如溫度、流速、時間），支持一鍵啟動和多配方存儲，兼容MES系統(tǒng)數(shù)據(jù)追溯。

環(huán)保與安全設計

廢液處理系統(tǒng)：密閉式反應腔體+自動廢液收集，配備中和裝置，符合ROHS及環(huán)保法規(guī)。

安全防護：PFA耐腐蝕管路、防泄漏傳感器和緊急停機功能，降低HF等化學品操作風險。

技術適配

微小結構清洗：針對FinFET、GAA等納米結構，去除溝槽內(nèi)污染物，保障電性能。

低k材料兼容：優(yōu)化蝕刻液配方，避免損傷SiCOH、SiOC等低介電常數(shù)材料。

再生晶圓修復：高效清除使用后晶圓的表面氧化層，延長使用壽命。

應用場景

前道制程：光刻膠去除、CMP后清洗、氧化物蝕刻、金屬污染凈化。

后道封裝：芯片背面減薄前清洗、焊盤氧化層去除、TSV（硅通孔）結構處理。

特色工藝：功率半導體（如IGBT）的金屬蝕刻、MEMS器件的釋放蝕刻。

技術優(yōu)勢總結

高精度：納米級顆粒清除（<0.1μm），表面粗糙度Ra<1nm。

高良率：缺陷率低于0.1%，支持2.5D/3D封裝需求。

低成本：化學品回收率>80%，單片耗液量降低30%。

智能化：實時監(jiān)控pH、濁度、流量，異常自動報警，良率追溯至單一片。

晶圓濕制程設備憑借其精準、高效、穩(wěn)定的特性，成為半導體制造中保障芯片性能與可靠性的，助力芯片制造商突破工藝瓶頸，提升產(chǎn)能與品質(zhì)。