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CY-RTP1000-T12-H RTP快速退火爐柜式

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鄭州成越科學(xué)儀器有限公司位于鄭州市*開發(fā)區(qū),是一家專業(yè)從事材料制備設(shè)備研發(fā)、生產(chǎn)和銷售為一體的高科技公司。重點(diǎn)專注于CVD石墨烯制備設(shè)備、熒光粉燒結(jié)設(shè)備、氧化鋯生物陶瓷燒結(jié)、納米材料制備、電池材料制備、陶瓷材料的微波燒結(jié)、稀有金屬的區(qū)域提純等研究發(fā)展方向。

鄭州成越科學(xué)儀器有限公司的研發(fā)團(tuán)隊(duì)?wèi){借自身在熱處理技術(shù)方面的專業(yè)知識和豐富的實(shí)踐經(jīng)驗(yàn),先后研發(fā)出了多款*材料制備設(shè)備。主要產(chǎn)品有:微波燒結(jié)爐、真空管式爐、箱式電阻爐、高頻感應(yīng)爐、氧化鋯燒結(jié)爐、熒光粉燒結(jié)爐、晶體退火爐、電池材料燒結(jié)爐、旋轉(zhuǎn)管式爐、立式管式爐、CVD管式爐等;

其他的產(chǎn)品還有:等離子清洗機(jī)、真空手套箱、真空干燥箱、環(huán)境模擬測試柜、行星球磨機(jī)、高純石英管、99剛玉管、真空法蘭等。

近年來,在社會各界的關(guān)心支持下,公司不斷發(fā)展壯大,與國內(nèi)外多所高校和科研單位建立起了合作關(guān)系;公司還聘請了多位國內(nèi)外重點(diǎn)高校的教授,博導(dǎo)為公司常年的技術(shù)顧問,他們時(shí)刻與國內(nèi)外學(xué)術(shù)界保持交流,出國訪問,并親臨一線指導(dǎo)產(chǎn)品的生產(chǎn)和研發(fā),使我公司的產(chǎn)品不斷完善,并緊跟世界研究熱點(diǎn),推出相關(guān)的新產(chǎn)品。產(chǎn)品遠(yuǎn)銷歐美、日韓等國家,并在國內(nèi)外市場獲得業(yè)界*好評。

如果您正在被國貨的產(chǎn)品質(zhì)量所困擾,選擇我們將改變您對國貨的某些觀念;如果您正在為自己的實(shí)驗(yàn)方案的實(shí)施而茫然,選擇我們將有專業(yè)的技術(shù)團(tuán)隊(duì)為您量身定做!如果您正在為故障設(shè)備的售后無人理會而發(fā)愁,選擇我們一切的問題將由我們負(fù)責(zé)到底。鄭州成越科學(xué)儀器有限公司的誠信、實(shí)力和產(chǎn)品質(zhì)量獲得業(yè)界的認(rèn)可。歡迎各界朋友蒞臨參觀、指導(dǎo)和業(yè)務(wù)洽談。





磁控濺射鍍膜儀,熱蒸發(fā)鍍膜儀,勻膠機(jī)旋涂儀,熔煉爐,涂布機(jī),放電等離子燒結(jié)爐,靜電紡絲機(jī),金剛石線切割機(jī),RTP退火爐,晶體生長爐,管式爐,CVD氣相沉積,氣氛爐,馬弗爐,熱解噴涂,等離子清洗機(jī),

RTP快速退火爐是一種用于半導(dǎo)體制造和材料處理的設(shè)備,其核心特點(diǎn)是快速升降溫和jingque溫控,適用于短時(shí)高溫工藝。

RTP快速退火爐應(yīng)用領(lǐng)域:

1、活化離子注入雜質(zhì),形成超薄結(jié)合。離子注入是半導(dǎo)體制造工藝中非常重要的一道工序,是用來把改變導(dǎo)電率的攙雜材料注入半導(dǎo)體晶片的標(biāo)準(zhǔn)工藝技術(shù)。

2、制作高質(zhì)量的 SiO,膜層。IC 制造對氧化膜層提出了很高的要求其中zui基本的要求使膜層更薄,采用傳統(tǒng)的技術(shù)即通過降低氧化反應(yīng)的溫度來降低氧化速率即會帶來另一個(gè)問題,生長溫度的降低會導(dǎo)致固定電荷和界面密度增加,影響氧化層質(zhì)量。RTP熱氧化工藝可以在合適的高溫下實(shí)現(xiàn)短時(shí)間的氧化。另一方面,可以利用往腔體內(nèi)通入氬或其它惰性氣體來稀釋氧氣達(dá)到降低氧化速率的目的。

3、用于金屬硅化物合金形成。RTP快速退火爐被廣泛地用于在器件中制備金屬硅化物。

RTP快速退火爐產(chǎn)品特點(diǎn):

1. 結(jié)構(gòu)緊湊,節(jié)省空間;

2. 快速升降溫;

3. 精準(zhǔn)溫控與均勻性;

4.氣氛控制靈活;

RTP快速退火爐技術(shù)參數(shù):

產(chǎn)品名稱

RTP快速退火爐【柜式】

產(chǎn)品型號

CY-RTP1000-T12-H

腔體尺寸

12英寸

基片尺寸

12英寸

升溫速率

B型為標(biāo)準(zhǔn)配置:≤200/S,供電要求:AC380V/50Hz/60Hz,功率50KW

降溫速率

10°C50°C /s

控溫模式

可預(yù)設(shè)曲線,按流程控溫

控溫精度

±1

工作溫度

1000

測溫位置

測溫點(diǎn)置于樣品處

密封法蘭

水冷式

工作真空

6.7×10-5Pa105Pa均可

可通氣氛

可通:氮?dú)猓瑲鍤?,氧氣等非危險(xiǎn)、非腐蝕氣體;如需計(jì)量需選配相應(yīng)的MFC,需要額外計(jì)價(jià)。

氣體質(zhì)量流量計(jì)CY-S48

真空測量

標(biāo)準(zhǔn)配置:復(fù)合真空計(jì),量程10-5Pa105Pa

真空系統(tǒng)

標(biāo)準(zhǔn)配置:VRD4+600L/S分子泵組。

真空泵CY-4C

供電要求

要求配備32A2P空氣開關(guān),電源電壓AC380V/50Hz/60Hz

水冷機(jī)組

水箱容量40L,zui大揚(yáng)程44m

整機(jī)尺寸

620mm*650mm*870mm

包裝尺寸

780mm*950mm*1000mm

包裝重量

230KG

隨機(jī)配件

1、說明書1

2、隨機(jī)配件1

3、配件清單1

基片類型:

? Silicon wafers硅片

? Compound semiconductor wafers化合物半導(dǎo)體基片

? GaN/Sapphire wafers for LEDs 用于LED的GaN/藍(lán)寶石基片

? Silicon carbide wafers碳化硅基片

? Poly silicon wafers for solar cells用于太陽能電池的多晶硅基片

? Glass substrates玻璃基片

? Metals金屬

? Polymers聚合物

? Graphite and silicon carbide susceptors石墨和鍍碳化硅的石墨基座


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氧化擴(kuò)散設(shè)備


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