CY-RTP1000-T6-H RTP快速退火爐柜式
- 公司名稱 鄭州成越科學(xué)儀器有限公司
- 品牌 CYKY
- 型號 CY-RTP1000-T6-H
- 產(chǎn)地
- 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
- 更新時間 2025/7/30 16:17:33
- 訪問次數(shù) 27
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磁控濺射鍍膜儀,熱蒸發(fā)鍍膜儀,勻膠機旋涂儀,熔煉爐,涂布機,放電等離子燒結(jié)爐,靜電紡絲機,金剛石線切割機,RTP退火爐,晶體生長爐,管式爐,CVD氣相沉積,氣氛爐,馬弗爐,熱解噴涂,等離子清洗機,
RTP(快速退火爐)是一種用于半導(dǎo)體制造和材料處理的設(shè)備,其核心特點是快速升降溫和jingque溫控,適用于短時高溫工藝。
RTP快速退火爐應(yīng)用領(lǐng)域:
1、活化離子注入雜質(zhì),形成超薄結(jié)合。離子注入是半導(dǎo)體制造工藝中非常重要的一道工序,是用來把改變導(dǎo)電率的攙雜材料注入半導(dǎo)體晶片的標(biāo)準(zhǔn)工藝技術(shù)。
2、制作高質(zhì)量的 SiO,膜層。IC 制造對氧化膜層提出了很高的要求其中zui基本的要求使膜層更薄,采用傳統(tǒng)的技術(shù)即通過降低氧化反應(yīng)的溫度來降低氧化速率即會帶來另一個問題,生長溫度的降低會導(dǎo)致固定電荷和界面密度增加,影響氧化層質(zhì)量。RTP熱氧化工藝可以在合適的高溫下實現(xiàn)短時間的氧化。另一方面,可以利用往腔體內(nèi)通入氬或其它惰性氣體來稀釋氧氣達(dá)到降低氧化速率的目的。
3、用于金屬硅化物合金形成。RTP快速退火爐被廣泛地用于在器件中制備金屬硅化物。
RTP快速退火爐產(chǎn)品特點:
1. 結(jié)構(gòu)緊湊,節(jié)省空間;
2. 快速升降溫;
3. 精準(zhǔn)溫控與均勻性;
4.氣氛控制靈活;
RTP快速退火爐技術(shù)參數(shù):
產(chǎn)品名稱 | RTP快速退火爐【柜式】 |
產(chǎn)品型號 | CY-RTP1000-T6-H |
腔體尺寸 | 6英寸 |
基片尺寸 | ≤6英寸 |
升溫速率 | B型為選購配置:≤200℃/S,供電要求:AC380V/50Hz/60Hz,功率25KW |
降溫速率 | 10°C-50°C /s |
控溫模式 | 可預(yù)設(shè)曲線,按流程控溫 |
控溫精度 | ±1℃ |
工作溫度 | ≤1000℃ |
測溫位置 | 測溫點置于樣品處 |
密封法蘭 | 水冷式 |
工作真空 | 6.7×10-5Pa~105Pa均可 |
可通氣氛 | 可通:氮氣,氬氣,氧氣等非危險、非腐蝕氣體;如需計量需選配相應(yīng)的MFC,需要額外計價。 |
氣體質(zhì)量流量計CY-S48 | |
真空測量 | 標(biāo)準(zhǔn)配置:復(fù)合真空計,量程10-5Pa~105Pa |
真空系統(tǒng) | 標(biāo)準(zhǔn)配置:VRD4+600L/S分子泵組。 |
真空泵CY-4C | |
供電要求 | 要求配備32A2P空氣開關(guān),電源電壓380V/50Hz/60Hz |
水冷機組 | 水箱容量40L,zui大揚程44m |
整機尺寸 | 620mm*650mm*870mm |
包裝尺寸 | 780mm*950mm*1000mm |
包裝重量 | 230KG |
隨機配件 | 1、說明書1本 |
2、隨機配件1套 | |
3、配件清單1份 |
基片類型:
? Silicon wafers硅片
? Compound semiconductor wafers化合物半導(dǎo)體基片
? GaN/Sapphire wafers for LEDs 用于LED的GaN/藍(lán)寶石基片
? Silicon carbide wafers碳化硅基片
? Poly silicon wafers for solar cells用于太陽能電池的多晶硅基片
? Glass substrates玻璃基片
? Metals金屬
? Polymers聚合物
? Graphite and silicon carbide susceptors石墨和鍍碳化硅的石墨基座