CY-RTP1200-T8-L 管式RTP快速退火爐
- 公司名稱 鄭州成越科學(xué)儀器有限公司
- 品牌 CYKY
- 型號 CY-RTP1200-T8-L
- 產(chǎn)地
- 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
- 更新時間 2025/7/30 16:20:43
- 訪問次數(shù) 29
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磁控濺射鍍膜儀,熱蒸發(fā)鍍膜儀,勻膠機(jī)旋涂儀,熔煉爐,涂布機(jī),放電等離子燒結(jié)爐,靜電紡絲機(jī),金剛石線切割機(jī),RTP退火爐,晶體生長爐,管式爐,CVD氣相沉積,氣氛爐,馬弗爐,熱解噴涂,等離子清洗機(jī),
RTP快速退火爐主要用于完成材料制備過程中的快速熱處理工藝工作。
主要具備以下特點:
1、更短的工藝時間;
2、更快的升、降溫速率;
3、處理基片時雜質(zhì)運(yùn)動zui?。?/span>
4、減少顆粒沾污;
5、由于腔體體積不大,氣氛純度容易控制.
RTP快速退火爐應(yīng)用領(lǐng)域:
1、活化離子注入雜質(zhì),形成超薄結(jié)合。離子注入是半導(dǎo)體制造工藝中非常重要的一道工序,是用來把改變導(dǎo)電率的攙雜材料注入半導(dǎo)體晶片的標(biāo)準(zhǔn)工藝技術(shù)。
2、制作高質(zhì)量的 SiO,膜層。IC 制造對氧化膜層提出了很高的要求其中zui基本的要求使膜層更薄,采用傳統(tǒng)的技術(shù)即通過降低氧化反應(yīng)的溫度來降低氧化速率即會帶來另一個問題,生長溫度的降低會導(dǎo)致固定電荷和界面密度增加,影響氧化層質(zhì)量。RTP熱氧化工藝可以在合適的高溫下實現(xiàn)短時間的氧化。另一方面,可以利用往腔體內(nèi)通入氬或其它惰性氣體來稀釋氧氣達(dá)到降低氧化速率的目的。
3、用于金屬硅化物合金形成。RTP快速退火爐被廣泛地用于在器件中制備金屬硅化物。
RTP快速退火爐技術(shù)參數(shù):
產(chǎn)品名稱 | RTP快速退火爐【管式】 |
產(chǎn)品型號 | CY-RTP1200-T8-L |
有效尺寸 | Φ200mm |
基片尺寸 | ≦8英寸 |
升溫速率 | A型為標(biāo)準(zhǔn)配置:≦100℃/S,供電要求:AC220V/50Hz,功率15KW |
降溫速率 | 200℃以上≤25min |
控溫模式 | 可預(yù)設(shè)曲線,按流程控溫 |
控溫精度 | ±1℃ |
工作溫度 | ≦1000℃ |
測溫位置 | 測溫點置于樣品處 |
密封法蘭 | 水冷式 |
工作真空 | 10-3Pa~105Pa均可 |
可通氣氛 | 可通:氮氣,氬氣,氧氣等非危險、非腐蝕氣體 |
真空測量 | 標(biāo)準(zhǔn)配置:電阻規(guī),量程1Pa~105Pa |
選裝配置:復(fù)合真空計,量程10-5Pa~105Pa | |
真空系統(tǒng) | 標(biāo)準(zhǔn)配置:VRD-4真空泵1臺 |
供電要求 | 要求配備32A2P空氣開關(guān),電源電壓AC220V/50Hz |
水冷機(jī)組 | 水箱容量9L,zui大揚(yáng)程10m |
整機(jī)尺寸 | 1200mm x 610mm x 570mm |
包裝尺寸 | 1475*700*800 |
包裝重量 | 180Kg |
隨機(jī)配件 | 1、說明書1本 |
2、隨機(jī)配件1套 | |
3、配件清單1份 |