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EVG810LT-微流控加工設(shè)備:低溫鍵合機-EVG810LT
  • EVG810LT-微流控加工設(shè)備:低溫鍵合機-EVG810LT

貨物所在地:北京北京市

地: 奧地利

更新時間:2025-04-26 21:00:08

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EVG810LT是一款主要用于Si-Si直接鍵合和SOI鍵合的預(yù)鍵合系統(tǒng), 廣泛應(yīng)用于MEMS制造、晶圓級先進封裝和SOI系統(tǒng)以及化合物半導(dǎo)體等方面。
目前,可以用于低溫等離子鍵合的材料為:
- Si/Si, Si/SiO2, SiO2/SiO2
- TEOS/TEOS (熱氧化)

 

低溫鍵合機-EVG810LT

EVG800系列鍵合機:EVG810LT

 

 

 

  • 簡介

 

EVG公司成立于1980年,公司總部和制造廠位于奧地利,在美國、日本和中國臺灣設(shè)有分公司,并在其他各地設(shè)有銷售代理及售后服務(wù)部,產(chǎn)品和服務(wù)遍及世界各地。

EVG公司是一家致力于半導(dǎo)體制造設(shè)備的供應(yīng)商,其豐富的產(chǎn)品系列包括:涂膠和噴膠/顯影機/熱板/冷板、掩模版光刻/鍵合對準(zhǔn)系統(tǒng)、基片熱壓鍵合/低溫等離子鍵合系統(tǒng)、基片清洗機、基片檢測系統(tǒng)、SOI 基片鍵合系統(tǒng)、基片臨時鍵合/分離系統(tǒng)、納米壓印系統(tǒng)。

目前已有數(shù)千臺設(shè)備安裝在世界各地,被廣泛地應(yīng)用于MEMS微機電系統(tǒng)/微流體器件,SOI基片制造,3D封裝,納米壓印,化合物半導(dǎo)體器件和功率器件等領(lǐng)域。

EVG公司是世界上頂jian的基片鍵合設(shè)備制造商,其鍵合工藝被認(rèn)定為MEMS領(lǐng)域的標(biāo)準(zhǔn)工藝。EVG鍵合系統(tǒng)可實現(xiàn)陽極鍵合、熱壓鍵合、中間層粘著鍵合、 玻璃漿料鍵合、硅-硅直接鍵合、共晶鍵合及SOI鍵合等所有鍵合工藝。EVG鍵合設(shè)備型號齊全,從手動裝片系統(tǒng)到全自動片盒送片多工藝室系統(tǒng),可以滿足不同客戶的應(yīng)用要求。無論手動/半自動裝片系統(tǒng), 鍵合工藝全部自動完成;而且,*的基片夾具及鍵合室結(jié)構(gòu)設(shè)計,可實現(xiàn)高精度的圓片鍵合;此外上/下極板為獨立分別加熱控制,   大加熱溫度可達650度。

EVG810LT是一款單腔室、半自動的設(shè)備,適用于硅片直接鍵合的低溫活化,如SOI,應(yīng)變硅,GeOI,化合物半導(dǎo)體和MEMS器件等應(yīng)用。EVG810LT工藝腔室允許使用非原位工藝,即硅片可在腔室內(nèi)分別片片激活,之后在激活腔室外硅片進行鍵合。

 

二、應(yīng)用范圍

EVG810LT是一款主要用于Si-Si直接鍵合和SOI鍵合的預(yù)鍵合系統(tǒng), 廣泛應(yīng)用于MEMS制造、晶圓級先進封裝和SOI系統(tǒng)以及化合物半導(dǎo)體等方面。

目前,可以用于低溫等離子鍵合的材料為:

- Si/Si, Si/SiO2, SiO2/SiO2

- TEOS/TEOS (熱氧化)

- GeOI

- Si/Si3N4

- Si/玻璃,玻璃/玻璃

- GaAs, GaP, InP

-PMMA

 

三、主要特點

  1. 在室溫下,等離子輔助實現(xiàn)圓片鍵合
  2. 專li技術(shù),適用于幾乎所有材料的鍵合,特別是溫度敏感器件﹑化合物半
  
  
   
  
  
  
  
  
  

 

 

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