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Centrotherm 高溫氧化系統(tǒng)-Oxidator 150

一、產(chǎn)品簡介

德國Centrotherm公司是國際主流的半導體設備供應商，尤其在高溫設備領(lǐng)域。Centrotherm Oxidator 150 經(jīng)過專業(yè)的研發(fā), 能夠滿足 SiC 圓片的高溫氧化工藝; 同時亦可用于常規(guī)的硅圓片的氧化。Centrotherm Oxidator 150 的反應腔具有性能高、占地小和生產(chǎn)成本低等特點，為客戶提供最高的工藝靈活度, 同時能夠保證有毒氣體的安全使用。

設備特點：

爐管和加熱器均處于真空密閉反應腔內(nèi)，上下料腔室可用Ar或 N2 進行吹掃，可以保證有毒氣體（如 NO、N2O、H2、NO2 等） 的安全使用。

氧化工藝使用 N2O 氣氛，可以改善 SiO2/SiC 接觸表面以獲得更高的通道遷移率，同時可提高SiC表面氧化物的穩(wěn)定性和壽命。

提供帶有氫氧合成系統(tǒng)的濕氧工藝。

高達 1350 ℃ 的溫度和其他支持功能為 SiC 氧化工藝和低界面陷阱密度, 高通道移動率的氧化層研制提供可能。

二、適用工藝

高溫SiC或Si氧化

氧化后退火（氫氣環(huán)境）

三、產(chǎn)品特性

性能

圓片尺寸： 2″、3″、4″、6″

工藝溫度： 900 ℃ ~ 1350 ℃