很多人會疑惑：既然 EUV 已經(jīng)能高效量產(chǎn)先進芯片，為什么還要投入精力研發(fā)電子束光刻？答案藏在兩者的 “分工” 里。EUV 追求的是 “批量生產(chǎn)的經(jīng)濟性”，就像印刷廠的大型設備，能快速復制已有的設計；而 EBL 解決的是 “從 0 到 1 的可行性”，如同作家的鋼筆，負責創(chuàng)造全新的 “故事”

沒有 EBL，EUV 的掩模版無從談起 —— 這種高精度的 “模具” 是芯片量產(chǎn)的基礎，必須依靠電子束光刻的納米級分辨率（可達 2nm）來制作。更重要的是，在 3nm 以下制程研發(fā)、量子計算、二維材料等前沿領域，EBL 是目前能實現(xiàn)納米級制造的手段。它不是 EUV 的替代者，而是推動摩爾定律繼續(xù)前行的 “隱形引擎”。

電子束光刻的核心，是用聚焦的電子束在光刻膠上 “畫畫”。電子作為帶電粒子，波長極短 —— 根據(jù)德布羅意公式，在 100kV 加速電壓下，電子波長僅 0.12nm，遠小于紫外線的數(shù)百納米，理論上能實現(xiàn)原子級分辨率。

具體過程就像 “精準雕刻”：電子束在偏轉線圈控制下掃描基板，光刻膠受到電子輻照后，化學性質發(fā)生改變 —— 正膠會變得可溶于顯影液，負膠則相反。經(jīng)過顯影，基板上就能浮現(xiàn)出我們需要的微納結構。這種 “無掩模直寫” 的特性，讓它能靈活實現(xiàn)各種復雜設計，這是光學光刻的。

不過，電子束光刻也有自己的 “煩惱”—— 電子在光刻膠中的散射效應。就像用鋼筆寫字時墨汁會擴散，電子進入光刻膠后，會與分子發(fā)生小角度偏轉（前向散射），導致束斑擴大；穿透光刻膠后，還會被基底原子回（背向散射），再次影響光刻膠。

雖然電子束光刻的吞吐量較低，不適合大規(guī)模量產(chǎn)，但憑借超高分辨率和設計靈活性，它在關鍵領域：

掩模版制造：EUV 光刻依賴的高精度掩模版，必須由 EBL 制作；

量子器件研發(fā)：量子計算中的納米級電路、二維材料器件，只有 EBL 能實現(xiàn)；

定制化器件：高頻芯片、MEMS 傳感器等特殊器件，需要靈活的 EBL 工藝支持。

澤攸 EBL 電子束光刻機，以 ZEL304G 為例，采用場發(fā)射電子槍，配備高速圖形發(fā)生系統(tǒng)，可實現(xiàn)高速、高分辨光刻。其最小束斑尺寸≤2nm，單次曝光線寬＜15nm，支持多種掃描模式和文件格式，還具備鄰近效應校正功能。設備采用高精度激光干涉樣品臺，行程≥105mm，位置穩(wěn)定性≤15nm/h，可滿足大行程高精度拼接和套刻需求。該光刻機整機國產(chǎn)化率超 95%，關鍵性能達國際主流水平，廣泛應用于半導體、微電子、光子學、量子技術及新材料研究等領域。

未來，隨著多束光刻、并行光刻等技術的發(fā)展，電子束光刻有望在保持高精度的同時提升效率，進一步拓展應用邊界。從支撐當下的芯片量產(chǎn)，到開辟未來科技的新賽道，電子束光刻這位 “隱形引擎”，正以納米級的精度，書寫著微觀世界的無限可能。