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實(shí)現(xiàn)高線性性能的挑戰(zhàn)2018/09/09: 線性性能可能是一個(gè)令人難以捉摸的目標(biāo)。對(duì)線性的定義在某種程度上具有相對(duì)性，而且許多工作特性都會(huì)影響到有源或無源器件的線性質(zhì)量。在半導(dǎo)體層面，即使是工藝也可以通過調(diào)整來改善線性性能。近年來，提高高頻元件線性的重要性越來越高，因?yàn)橹T如正交幅度調(diào)制(QAM)等數(shù)字調(diào)制格式使用越來越廣泛，而這些調(diào)制技術(shù)都依賴于幅度、頻率、相位或三者的組合(經(jīng)調(diào)制置于載波信號(hào)包絡(luò)上)來表示數(shù)字信息。理解線性的定義是辨別哪種元器件可以被認(rèn)為具有真正線性的步。正如其名字的含義那樣，對(duì)線性的簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)與一個(gè)元件產(chǎn)生的輸出信號(hào)能夠

主要功能陶瓷器件現(xiàn)狀2018/09/09: MLCC(多層陶瓷電容器)是各種電子、通訊、信息、軍事及航天等消費(fèi)或工業(yè)用電子產(chǎn)品的重要組件。MLCC由于其小體積、結(jié)構(gòu)緊湊、可靠性高及適于SMT技術(shù)等優(yōu)點(diǎn)而發(fā)展迅速。目前，電容器市場(chǎng)無論從數(shù)量上還是市場(chǎng)潛力上來看都以陶瓷電容器份額大。MLCC產(chǎn)量隨著IT產(chǎn)業(yè)的發(fā)展而不斷增長(zhǎng)，國內(nèi)產(chǎn)量占產(chǎn)量的比例近年來也有較大的增長(zhǎng)，我國已經(jīng)逐漸成為世界MLCC的制造大國。目前MLCC的上的發(fā)展趨勢(shì)是微型化、高比容、低成本、高頻化、集成復(fù)合化、高可靠性的產(chǎn)品及工藝技術(shù)。當(dāng)前MLCC需求的熱點(diǎn)主要集中在手機(jī)、P4

一種基于電容分壓的電子式電壓2018/09/09: 摘要：提出一種新型的電子式電壓互感器，它結(jié)合了光纖和式電壓互感器的優(yōu)點(diǎn)，一定程度上解決了高壓傳輸系統(tǒng)中的絕緣和抗電磁干擾等傳統(tǒng)難題。關(guān)鍵詞：雙CPU；光纖；電子式電壓互感器1引言電壓互感器是電力系統(tǒng)中一次與二次電氣回路之間*的連接設(shè)備，其作用是實(shí)現(xiàn)一次、二次系統(tǒng)的電氣隔離，把一次側(cè)的高電壓變換成適合于繼電保護(hù)裝置和電氣測(cè)量?jī)x表等工作的低電壓。隨著電力系統(tǒng)超高壓輸變電的發(fā)展，傳統(tǒng)的電磁式電壓互感器（PotentialTransformer，簡(jiǎn)稱PT）的體積變得越來越大，造價(jià)高，存在鐵磁諧振等嚴(yán)重問

電感設(shè)計(jì)的原則2018/09/09: 設(shè)計(jì)有許多限制條件，各自都對(duì)是否成功量產(chǎn)有直接影響，本文是磁性元件設(shè)計(jì)教程的重要的一章，主要介紹是什么在限制著電感，高頻變壓器等磁性元件的設(shè)計(jì)。原則一：電感不飽和（感值下降不超出合理范圍）由磁滯回線圖可以看出，H加大時(shí)，B值也同時(shí)增加，但H加大到一定程度后，B值的增加就變得越來越緩慢，直至B值不再變化(u值越來越小，直至為零)，這時(shí)磁性材料便飽和了。通常電路中使用的電感都不希望電感飽和（特殊應(yīng)用除外，參看飽和電感及其在開關(guān)電源中的應(yīng)用一文），其工作曲線應(yīng)在飽和曲線以內(nèi)，Hdc稱為直流磁場(chǎng)強(qiáng)度或直

家用電器電子元器件的檢測(cè)2018/09/09: 元器件的檢測(cè)是家電維修的一項(xiàng)基本功，如何準(zhǔn)確有效地檢測(cè)元器件的相關(guān)參數(shù)，判斷元器件的是否正常，不是一件千篇一律的事，必須根據(jù)不同的元器件采用不同的方法，從而判斷元器件的正常與否。特別對(duì)初學(xué)者來說，熟練掌握常用元器件的檢測(cè)方法和經(jīng)驗(yàn)很有必要，以下對(duì)常用電子元器件的檢測(cè)經(jīng)驗(yàn)和方法進(jìn)行介紹供對(duì)考。電阻器的檢測(cè)方法與經(jīng)驗(yàn)1固定電阻器的檢測(cè)。A將兩表筆(不分正負(fù))分別與電阻的兩端引腳相接即可測(cè)出實(shí)際電阻值。為了提高測(cè)量精度，應(yīng)根據(jù)被測(cè)電阻標(biāo)稱值的大小來選擇量程。由于歐姆擋刻度的非線性關(guān)系，它的中間

直流風(fēng)扇的監(jiān)控與保護(hù)2018/09/07: 管變頻電機(jī)有很高的可靠性，但它仍然是機(jī)械器件，在長(zhǎng)時(shí)間使用時(shí)，其速度可能會(huì)下降甚至停轉(zhuǎn)，所以對(duì)風(fēng)扇的運(yùn)行狀態(tài)進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)，便于及時(shí)發(fā)現(xiàn)問題。目前，對(duì)風(fēng)扇自身的監(jiān)控方式有報(bào)警和速度傳感器兩種類型，利用報(bào)警傳感器可在風(fēng)扇速度低于某個(gè)門限值時(shí)給出報(bào)警信號(hào)，而速度信號(hào)輸出則可實(shí)現(xiàn)風(fēng)扇速度的實(shí)時(shí)監(jiān)控。從風(fēng)扇電路輸出的報(bào)警信號(hào)有“高電平”和“低電平”兩種狀態(tài)，兩種電平所代表的意義一般按照正邏輯體制，高電平表示“故障”，“低電平”表示“正?！?。從風(fēng)扇電路輸出的轉(zhuǎn)速信號(hào)通常為脈沖形式，每個(gè)波頭表示風(fēng)扇轉(zhuǎn)過一圈，

PCB可制造性設(shè)計(jì)--促進(jìn)生產(chǎn)力的強(qiáng)大工具2018/09/07: 在今天的電子業(yè)，有幾種力量正在推動(dòng)著可制造性設(shè)計(jì)(DFM)的進(jìn)程，其中常見的三種為：·新技術(shù)帶來的零件密度的增加·縮短設(shè)計(jì)周期時(shí)間的需求·外包及海外制造模式的實(shí)行要求設(shè)計(jì)更小更輕，同時(shí)又要擁有更多功能的不斷增加的需求為我們帶來了新的印刷電路板制作技術(shù)，如順序迭構(gòu)，嵌入式被動(dòng)及主動(dòng)零件類的設(shè)計(jì)，以及零件封裝技術(shù)的創(chuàng)新如Micro-BGA、CSP和POP。所有這一切都使PCB設(shè)計(jì)、制作及組裝變得更加復(fù)雜化。縮短“產(chǎn)品上市時(shí)間”是一項(xiàng)緊迫的需求。由于PCB設(shè)計(jì)的反復(fù)可能導(dǎo)致設(shè)計(jì)周期平均增加幾個(gè)星期，從

PCB設(shè)計(jì)的優(yōu)化2018/09/07: 為了滿足日益增加的PCB設(shè)計(jì)要求，不少設(shè)計(jì)工程師感到壓力頗重。每一類新的設(shè)計(jì)都伴隨著性能和可靠性方面的失效風(fēng)險(xiǎn)。設(shè)計(jì)過程中大的問題是如何在散熱方案和信號(hào)完整性中進(jìn)行取舍。連接元件的高速時(shí)鐘速度需要緊密的靠近，以便確保不出現(xiàn)信號(hào)衰減。但是這類元件還是無法避免的有很多耗散熱，因此它們之間應(yīng)盡可能的遠(yuǎn)離，從而有助于降低它們的溫度。本文描述了如何應(yīng)用熱對(duì)PCB板散熱性能進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)。這一PCB板是通過楔形裝置緊鎖在機(jī)箱內(nèi)，并且對(duì)機(jī)箱外部的散熱器翅片進(jìn)行強(qiáng)迫風(fēng)冷。在一些惡劣的環(huán)境條件下，根據(jù)局部環(huán)境空氣溫

雙向可控硅的設(shè)計(jì)及應(yīng)用分析2018/09/07: 1958年，從美國通用電氣公司研制成功個(gè)工業(yè)用可控硅開始，電能的變換和控制從旋轉(zhuǎn)的變流機(jī)組、靜止的離子變流器進(jìn)入以電力半導(dǎo)體器件組成的變流器時(shí)代?？煽毓璺謫蜗蚩煽毓枧c雙向可控硅。單向可控硅一般用于彩電的過流、過壓保護(hù)電路。雙向可控硅一般用于交流調(diào)節(jié)電路，如調(diào)光臺(tái)燈及全自動(dòng)洗衣機(jī)中的交流控制。雙向可控硅是在普通可控硅的基礎(chǔ)上發(fā)展而成的，它不僅能代替兩只反極性并聯(lián)的可控硅，而且僅需一個(gè)觸發(fā)電路，是目前比較理想的交流器件，一直為家電行業(yè)中主要的功率控制器件。近幾年，隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，大功率雙向可控

高性能IGBT提高太陽能逆變器效率2018/09/07: 專家估計(jì)，市場(chǎng)每年對(duì)逆變器的需求大約增長(zhǎng)30%；消費(fèi)者需要更便宜的電子設(shè)備，降低產(chǎn)品成本的一個(gè)重要途徑就是提高太陽能逆變器的效率。絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）能夠幫助產(chǎn)品設(shè)計(jì)者應(yīng)對(duì)他們所面臨的設(shè)計(jì)具有更高電路效率和性能的產(chǎn)品的挑戰(zhàn)。這類器件也稱為電導(dǎo)調(diào)制場(chǎng)效應(yīng)晶體管（CMFET），是MOSFET的近親，主要在各種應(yīng)用中用作電源開關(guān)。這些電壓控制的器件在市場(chǎng)上隨處可見，在開關(guān)電源設(shè)備中采用合適的IGBT代替類似的MOSFET器件能夠提高能效，降低產(chǎn)品成本。一些供應(yīng)商的產(chǎn)品及其廣泛應(yīng)用例如，安森美

中、小功率三極管的檢測(cè)2018/09/05: A.已知型號(hào)和管腳排列的三極管，可按下述方法來判斷其性能好壞(a)測(cè)量極間將萬用表置于R×100或R×1K擋，按照紅、黑表筆的六種不同接法進(jìn)行測(cè)試。其中，發(fā)射結(jié)和集電結(jié)的正向電阻值比較低，其他四種接法測(cè)得的電阻值都很高，約為幾百千歐至無窮大。但不管是低阻還是高阻，硅材料三極管的極間電阻要比鍺材料三極管的極間電阻大得多。(b)三極管的穿透電流ICEO的數(shù)值近似等于管子的倍數(shù)β和集電結(jié)的反向電流ICBO的乘積。ICBO隨著環(huán)境溫度的升高而增長(zhǎng)很快，ICBO的增加必然造成ICEO的增大。而ICEO

手機(jī)白光LED驅(qū)動(dòng)電路解決方案2018/09/05: 推動(dòng)移動(dòng)顯示由單色轉(zhuǎn)換為彩色的一個(gè)主要趨勢(shì)是拍攝功能的集成。初這些成像器件的分辨率相當(dāng)有限，同時(shí)圖像質(zhì)量也不佳。但隨著技術(shù)的發(fā)展，分辨率由30萬像素的VGA等級(jí)進(jìn)展到100至200萬級(jí)像素，并快速朝向300萬像素以上的分辨率級(jí)邁進(jìn)。在成像器件、處理器與軟件不斷得到改進(jìn)后，消費(fèi)者現(xiàn)在希望得到更多的數(shù)碼相機(jī)功能，例如低照明情況下需要的閃光燈，甚至是自動(dòng)對(duì)焦等。在這樣的分辨率下，良好的畫質(zhì)輸出以及圖片與視頻分享變得更加實(shí)用，這些更高密度的CMOS成像器件需要從目標(biāo)獲得更多的反射光，因此進(jìn)一步推動(dòng)了集成

晶體三極管2018/09/05: 晶體三極管（以下簡(jiǎn)稱三極管）按材料分有兩種：鍺管和硅管。而每一種又有NPN和PNP兩種結(jié)構(gòu)形式，但使用多的是硅NPN和PNP兩種三極管，兩者除了極性不同外，其工作原理都是相同的，下面僅介紹NPN硅管的電流放大原理。圖一是NPN管的結(jié)構(gòu)圖，它是由2塊N型半導(dǎo)體中間夾著一塊P型半導(dǎo)體所組成，從圖可見發(fā)射區(qū)與基區(qū)之間形成的PN結(jié)稱為發(fā)射結(jié),而集電區(qū)與基區(qū)形成的PN結(jié)稱為集電結(jié),三條引線分別稱為發(fā)射極e、基極b和集電極。圖1、晶體三極管（NPN）的結(jié)構(gòu)當(dāng)b點(diǎn)電位高于e點(diǎn)電位零點(diǎn)幾伏時(shí)，發(fā)射結(jié)處于正偏狀態(tài)

提高取效率降熱阻功率型LED2018/09/05: 超高亮度LED的應(yīng)用面不斷擴(kuò)大，首*入特種照明的市場(chǎng)領(lǐng)域，并向普通照明市場(chǎng)邁進(jìn)。由于LED芯片輸入功率的不斷提高，對(duì)這些功率型LED的封裝技術(shù)提出了更高的要求。功率型LED封裝技術(shù)主要應(yīng)滿足以下兩點(diǎn)要求：一是封裝結(jié)構(gòu)要有高的取光效率，其二是熱阻要盡可能低，這樣才能保證功率LED的光電性能和可靠性。半導(dǎo)體LED若要作為照明光源，常規(guī)產(chǎn)品的光通量與白熾燈和熒光燈等通用性光源相比，距離甚遠(yuǎn)。因此，LED要在照明領(lǐng)域發(fā)展，關(guān)鍵是要將其發(fā)光效率、光通量提高至現(xiàn)有照明光源的等級(jí)。功率型LED所用的外延材料采

不同種類的二極管的選用代換2018/09/05: ．檢波二極管的選用檢波二極管一般可選用點(diǎn)接觸型鍺二極管，例如2AP系列等。選用時(shí)，應(yīng)根據(jù)電路的具體要求來選擇工作頻率高、反向電流小、正向電流足夠大的檢波二極管。雖然檢波和整流的原理是一樣的，而整流的目的只是為了得到直流電，而檢波則是從被調(diào)制波中取出信號(hào)成分（包絡(luò)線）。檢波電路和半波整流線路*相同。因檢波是對(duì)高頻波整流，二極管的結(jié)電容一定要小，所以選用點(diǎn)接觸二極管。能用于高頻檢波的二極管大多能用于限幅、箝位、開關(guān)和調(diào)制電路。檢波二極管的代換檢波二極管損壞后，若無同型號(hào)二極管更換時(shí)，也可以選用半導(dǎo)體

45納米技術(shù)特性2018/09/04: 在英特爾的發(fā)展藍(lán)圖中，2007年年末推出45納米技術(shù)的產(chǎn)品，2009年推出32納米技術(shù)的產(chǎn)品，2011年推出22納米技術(shù)的產(chǎn)品。“納米”其實(shí)是英文“nanometer”的譯名，是一種度量單位，是十億分之一米，約相當(dāng)于45個(gè)原子串起來那么長(zhǎng)。而納米技術(shù)也就是在納米尺度(0.1nm到100nm之間)的研究物質(zhì)的相互作用和運(yùn)動(dòng)規(guī)律，以及在實(shí)際應(yīng)用中利用這些規(guī)律的多學(xué)科的科學(xué)和技術(shù)。我們更加熟悉的是在處理器上的納米技術(shù)，越來越小的納米工藝數(shù)值從一個(gè)側(cè)面推動(dòng)了信息產(chǎn)業(yè)這幾十年爆炸式的增長(zhǎng)。130納米工藝就

利用可重構(gòu)處理器打造更智能的自主式武器2018/09/04: 在消費(fèi)電子和無線行業(yè)，移動(dòng)設(shè)備是當(dāng)之無愧的。而現(xiàn)在，美國也開始著手為其自主式武器裝備添加移動(dòng)特性，如此一來，這類武器必須消耗更低的能量。另外，通過板上處理器，這些武器還能對(duì)大量的傳感器數(shù)據(jù)進(jìn)行篩選及傳輸。美國國防*技術(shù)研究計(jì)劃署(Darpa)啟動(dòng)的“多形態(tài)計(jì)算架構(gòu)(PCA)”項(xiàng)目，是自主式武器裝備計(jì)劃的一部分。據(jù)Darpa的信息處理技術(shù)辦公室(IPTO)介紹，該項(xiàng)目的目標(biāo)是開發(fā)“可重構(gòu)和可適應(yīng)任務(wù)需求的處理架構(gòu)”。這些應(yīng)用就包括“敏捷”傳感器和智能航空電子設(shè)備。據(jù)項(xiàng)目參與者介紹，PCA的一個(gè)關(guān)鍵

40-200GHz硅鍺雙極電路生產(chǎn)工藝和應(yīng)2018/09/04: 10年來，硅鍺雙極集成電路（SiGe-BiCMOS）在無線通訊的推動(dòng)下得到了突飛猛進(jìn)的發(fā)展。今天SiGe-BiCMOS已被應(yīng)用于以前被GaAs壟斷的領(lǐng)域，并在許多領(lǐng)域里呈取代GaAs的趨勢(shì)。目前廣泛用于通信行業(yè)的SiGe-BiCMOS至少有四代。每一代的技術(shù)復(fù)雜性和性能各異，幾何結(jié)構(gòu)從0.35mm至0.13mm，頻率從40~200GHz。作為示例，圖1顯示了覆蓋主要通信終端市場(chǎng)的捷智半導(dǎo)體的四代SiGe-BiCMOS技術(shù)生產(chǎn)工藝。2.SiGe120SiGe120是以10Gb和40Gb產(chǎn)品為目標(biāo)的

芯片業(yè)舵手2018/09/04: 四十年前，當(dāng)戈登·摩爾（GordonMoore）提出“摩爾定律”這樣大膽的預(yù)言時(shí)，幾乎所有人都只當(dāng)它是句不切實(shí)際的“豪言壯語”，然而，在經(jīng)過了時(shí)間和市場(chǎng)的檢驗(yàn)后，“摩爾定律”終成為了一個(gè)不爭(zhēng)的產(chǎn)業(yè)規(guī)則。依靠著摩爾這位天才，英特爾公司主宰了芯片產(chǎn)業(yè)，而摩爾本人，就像是一位舵手，帶領(lǐng)著整個(gè)產(chǎn)業(yè)馬不停蹄地發(fā)展。毫不夸張地說，任何與電子技術(shù)相關(guān)的領(lǐng)域都或多或少的從他那里獲得了“恩惠”?！陡査埂冯s志曾這樣評(píng)價(jià)，“毫無疑義，在技術(shù)界中人們需要永遠(yuǎn)牢記摩爾的名字，他對(duì)整個(gè)電子技術(shù)產(chǎn)業(yè)的貢獻(xiàn)不可估量，他是一位

修復(fù)雙重圖形誤差的途徑.切割和縫合2018/09/04: 雙重圖形（DP）是指將單層IC版圖分解成兩個(gè)光罩，在此過程中，有許多多邊形配置可能會(huì)導(dǎo)致違反DP設(shè)計(jì)規(guī)則。其中一些錯(cuò)誤可藉由增加多邊形之間的間距進(jìn)行修復(fù)。然而有些DP錯(cuò)誤，像奇數(shù)圈(oddcycle)的誤差，可能難以修復(fù)。如果你的版圖通過一種類似手術(shù)的修正方式，在關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)進(jìn)行切割來解決DP錯(cuò)誤，那么就會(huì)變得非常簡(jiǎn)單。這種修正技術(shù)稱為“切割和縫合”(cuttingａndstitching)，通常只將其稱為縫合。讓我們來看一下它的工作原理。圖中給出了一對(duì)無法正確分解成兩個(gè)光罩的典型版圖配置。左邊上面

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