當(dāng)前位置：束蘊(yùn)儀器（上海）有限公司>>技術(shù)文章展示
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2024
10-30XRD應(yīng)用分享 | 微焦斑高分辨XRD在電子器件領(lǐng)域的應(yīng)用——以PZT電容器為例
微電子器件的功能在很大程度上取決于其晶體結(jié)構(gòu)。高分辨率X射線衍射（HRXRD）是一種無損分析技術(shù)，能夠以亞納米級(jí)的精度研究晶體結(jié)構(gòu)-即使是在非環(huán)境或工作狀態(tài)下。使用實(shí)驗(yàn)室X射線衍射儀通過HRXRD研究這些微米級(jí)尺寸的器件極其具有挑戰(zhàn)性，因?yàn)樾枰皇∮谒P(guān)注結(jié)構(gòu)的X射線束。鋯鈦酸鉛（PZT）電容器在提高各種電子設(shè)備和系統(tǒng)的功能及性能方面起著至關(guān)重要的作用。由于其能夠在電能和機(jī)械能之間轉(zhuǎn)換，它們被用于需要高精度、控制和高效能量轉(zhuǎn)換的應(yīng)用中。典型的例子包括微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）器件、壓電變壓器、致動(dòng)2024
10-30應(yīng)用分享｜少子壽命測(cè)試儀(MDP)針對(duì)碳化硅器件性能優(yōu)化的關(guān)鍵作用
1應(yīng)用背景在微電子半導(dǎo)體行業(yè)日新月異的現(xiàn)狀，材料質(zhì)量的提升與器件性能的優(yōu)化成為推動(dòng)技術(shù)進(jìn)步的關(guān)鍵因素。碳化硅（SiC）作為一種新興的高性能半導(dǎo)體材料，以其優(yōu)異的導(dǎo)熱性、高擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度及耐高溫特性，在電力電子、新能源汽車、航天航空等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。然而，碳化硅器件的性能優(yōu)化并非易事，其涉及到材料質(zhì)量、加工工藝、器件設(shè)計(jì)等多個(gè)層面的精細(xì)控制。在這個(gè)過程中，少數(shù)載流子壽命（少子壽命）作為評(píng)價(jià)半導(dǎo)體材料質(zhì)量的重要參數(shù)之一，其精確測(cè)量與深度分析顯得尤為重要。2儀器介紹德國(guó)弗萊貝格儀器有限公司（F2024
10-252024
10-252024
10-232024
10-23晶體日記（二十三）-單晶測(cè)試容易犯的錯(cuò)誤-以偏概全- X射線衍射XRD
前言寫這個(gè)的起因，是因?yàn)樽鯠EMO時(shí)犯的一個(gè)錯(cuò)誤。其實(shí)很多測(cè)試看起來確實(shí)很簡(jiǎn)單，很多高大上的儀器，真正的操作其實(shí)也并沒有什么繁瑣的。甚至從培訓(xùn)的時(shí)候就能看的出來。大部分同學(xué)聽完怎么操作就懶得再聽下去了，于是20人結(jié)果經(jīng)常堅(jiān)持下來的人只有2人。我想大部分使用的人實(shí)際上連布拉格方程是什么都沒有理解。不然也不會(huì)有那么多人始終分不清單晶衍射儀和粉末衍射儀的區(qū)別。單晶X射線衍射SC-XRD是為了利用X射線衍射測(cè)定晶體的三維結(jié)構(gòu)（實(shí)空間）而設(shè)計(jì)。通過測(cè)試單顆晶體，獲取三維空間的倒易點(diǎn)陣信息。當(dāng)有足夠多的數(shù)據(jù)2024
10-23應(yīng)用分享 | TOF-SIMS在有機(jī)樣品分析中的利器
飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜（TOF-SIMS）作為重要表面分析技術(shù)，不僅能夠提供有機(jī)材料表面的質(zhì)譜圖、還可以觀測(cè)表面離子空間分布以及膜層深度分布信息，展現(xiàn)出了廣泛的應(yīng)用前景和巨大潛力。但是在對(duì)有機(jī)樣品進(jìn)行TOF-SIMS分析時(shí)也面對(duì)一些挑戰(zhàn)，例如有機(jī)材料導(dǎo)電性差引起荷電效應(yīng)，大質(zhì)量數(shù)離子譜峰難以解析分子結(jié)構(gòu)，以及有機(jī)組分易揮發(fā)導(dǎo)致超高真空環(huán)境下難以檢測(cè)到等。在本期文章中，我們將針對(duì)這些挑戰(zhàn)來介紹TOF-SIMS對(duì)應(yīng)的分析利器。一.有絕緣樣品的荷電中和有機(jī)材料普遍存在導(dǎo)電性較差的問題，這是TOF-SIM2024
10-202024
10-10應(yīng)用分享 | TOF-SIMS在有機(jī)材料研究中的應(yīng)用
飛行時(shí)間質(zhì)量分析器具備全質(zhì)量范圍掃描的特點(diǎn)，在一次采集過程中能夠收集到較大質(zhì)量范圍內(nèi)的所有分子離子碎片。當(dāng)使用TOF-SIMS對(duì)有機(jī)材料進(jìn)行分析時(shí)，我們通過譜圖解析可以識(shí)別出這些分子離子對(duì)應(yīng)的有機(jī)分子碎片，揭示有機(jī)材料鍵接結(jié)構(gòu)。這些豐富的化學(xué)信息能夠直接反映有機(jī)物的組成與結(jié)構(gòu)特征，為有機(jī)材料設(shè)計(jì)、合成和性能優(yōu)化提供重要的實(shí)驗(yàn)室數(shù)據(jù)支持。在本期文章中，我們將通過一系列案例來介紹TOF-SIMS在有機(jī)材料中的應(yīng)用。有機(jī)分子結(jié)構(gòu)解析有機(jī)材料是由不同類型的官能團(tuán)和化學(xué)鍵所構(gòu)成的，在TOF-SIMS電離過2024
10-102024
10-10XRD在藥物研究中的應(yīng)用系列之-XRD型號(hào)和樣品架篇
XRD應(yīng)用文章藥物研究系列XRD型號(hào)和樣品架篇X射線衍射技術(shù)在藥物分析中有著廣泛的應(yīng)用。X射線衍射技術(shù)是一種用于研究物質(zhì)結(jié)構(gòu)的分析方法，它通過測(cè)量X射線在晶體中的衍射角度，來確定晶體的結(jié)構(gòu)。這種技術(shù)在藥物分析中具有很多應(yīng)用。1XRD型號(hào)篇BrukerAXS公司在藥物行業(yè)深耕多年，市場(chǎng)占有的情況高，尤其是在測(cè)試API中的低含量雜質(zhì)物相或者是在制劑粉末中的API含量等領(lǐng)域，借助LYNXEYEXE-T能量色散陣列探測(cè)器，可以將定量檢出限降低到1%甚至0.1%以下，方法成熟并經(jīng)過多個(gè)用戶的驗(yàn)證。同樣，針2024
09-242024
09-192024
09-14電子順磁共振波譜儀如何揭示分子結(jié)構(gòu)的秘密？
在物理、化學(xué)、生物等科學(xué)領(lǐng)域的研究實(shí)驗(yàn)室中，電子順磁共振波譜儀是一種不可或缺的分析工具。它通過探測(cè)物質(zhì)分子中未配對(duì)電子的磁性質(zhì)，揭示了分子結(jié)構(gòu)的諸多秘密，為科學(xué)研究提供了強(qiáng)有力的支持。電子順磁共振波譜儀基于電子順磁共振現(xiàn)象，即未配對(duì)電子在磁場(chǎng)中對(duì)微波的吸收。這項(xiàng)技術(shù)涉及到將樣品置于一個(gè)嚴(yán)格控制的磁場(chǎng)環(huán)境中，并使其受到特定頻率微波的作用。當(dāng)未配對(duì)電子吸收微波能量時(shí)，它們會(huì)在特定的能級(jí)之間躍遷，而這種躍遷被儀器檢測(cè)并記錄下來，形成特有的波譜圖。這種波譜圖是順磁共振波譜儀輸出的關(guān)鍵信息，它如同物質(zhì)的指2024
09-11全新臺(tái)式D6 PHASER應(yīng)用報(bào)告系列（六）— 織構(gòu)分析- X射線衍射XRD
織構(gòu)簡(jiǎn)介一般的多晶材料表現(xiàn)出各向同性，這是因?yàn)樵诙嗑w中各晶粒無規(guī)取向。如果因?yàn)槟承┰蚴沟妹總€(gè)晶粒的取向趨于一致，我們稱之為擇優(yōu)取向或者織構(gòu)。出現(xiàn)織構(gòu)以后，材料將表現(xiàn)出不同程度的各向異性。在多數(shù)情況下，我們不希望有織構(gòu)。但一些織構(gòu)結(jié)構(gòu)可以提高材料的力學(xué)和電學(xué)性質(zhì)，因此樣品正確的取向或織構(gòu)至關(guān)重要。大多數(shù)金屬樣品在加工過程中由于加工技術(shù)而表現(xiàn)出一定程度的織構(gòu)結(jié)構(gòu)。比如電鍍層在形成時(shí)，織構(gòu)往往與電流傳導(dǎo)方向相關(guān)。金屬經(jīng)鍛造、軋制、擠壓、拉拔等加工時(shí)，由于加工應(yīng)力的作用將形成形變織構(gòu)，而具有形變織構(gòu)2024
09-11應(yīng)用分享 | 布魯克三維X射線顯微鏡在油氣地質(zhì)領(lǐng)域的應(yīng)用
布魯克三維X射線顯微鏡（3DX-rayMicroscopy,3DXRM）在地質(zhì)油氣領(lǐng)域的應(yīng)用極為普遍，能夠?yàn)閹r石、沉積物和流體行為的研究提供高分辨率的三維成像。這項(xiàng)技術(shù)在巖石物理、儲(chǔ)層特性分析和微觀結(jié)構(gòu)研究中具有重要的應(yīng)用價(jià)值。應(yīng)用概述布魯克三維X射線顯微鏡通過X射線掃描樣品，生成其內(nèi)部結(jié)構(gòu)的高分辨率三維圖像。它能夠在不破壞樣品的前提下，提供詳細(xì)的內(nèi)部結(jié)構(gòu)信息，對(duì)油氣地質(zhì)研究具有重要意義。主要應(yīng)用領(lǐng)域一、巖石孔隙結(jié)構(gòu)分析孔隙率與滲透率測(cè)定：三維X射線顯微鏡可以精確測(cè)量巖石樣品的孔隙度和滲透率，幫2024
09-11晶體日記（二十一）- 死而復(fù)生的晶體- X射線衍射XRD
知道我的人，發(fā)現(xiàn)近期我在提倡一個(gè)字:慢。對(duì)于一個(gè)急性子的人，有點(diǎn)不可思議。不過我提倡的“慢”不是指做事慢吞吞，而是留給自己足夠的時(shí)間去琢磨一些看起來簡(jiǎn)單，無關(guān)乎結(jié)果的事情。把節(jié)奏放慢下來。儀器的進(jìn)步帶來了很多便利，常見的一句話是現(xiàn)在的D8VENTURE真好用，好的晶體分分鐘就測(cè)完了。挑晶體的時(shí)間比測(cè)試的時(shí)間還長(zhǎng)。確實(shí)現(xiàn)在的處境不是等機(jī)時(shí)，而是好多D8VENTURE空在那里等樣品。一個(gè)星期長(zhǎng)出來的樣品，一天就被清空了。剩下的時(shí)間做什么呢？我覺得應(yīng)該去琢磨哪些看起來不好做的晶體，畢竟不好做的晶體才真2024
09-11應(yīng)用分享 | AES俄歇電子能譜專輯之應(yīng)用案例(一)
俄歇電子能譜儀（AES），作為表面分析技術(shù)領(lǐng)域的納米探針，在固體材料表面納米尺度的元素成分分析及形貌表征方面發(fā)揮著重要作用。AES采用場(chǎng)發(fā)射電子源作為探針，不只能通過從樣品表面激發(fā)出二次電子以觀察表面形貌，還能通過探測(cè)俄歇電子，用于表面成分分析。此外，AES通過集成的濺射離子設(shè)備賦予了對(duì)材料縱向深度的逐層剖析能力，從而深入洞悉材料從表面至內(nèi)部的成分變化與分布規(guī)律。本篇技術(shù)文章將主要介紹AES的基本功能：表面元素的定性分析、定量分析以及化學(xué)態(tài)分析。表面元素定性分析俄歇躍遷過程表明，俄歇電子的動(dòng)能只2024
09-05晶體日記（二十）- 有效的數(shù)據(jù)收集是較省時(shí)間的方式據(jù)- X射線衍射XRD
從工作開始接觸化學(xué)小分子晶體學(xué)，經(jīng)常見的一句話：高角度沒點(diǎn)，怎么辦?這看似簡(jiǎn)單的問題，實(shí)則隱藏著諸多未解之謎。盡管它十分普遍，但每次聽到，我總會(huì)陷入沉思。我明白提問者所要表達(dá)的意思。但是這個(gè)問題并沒有表達(dá)出晶體的衍射能力怎么樣？所謂的“沒點(diǎn)”又表示著怎樣的具體情況？然而多數(shù)情況下，稍微問一下，就發(fā)現(xiàn)“高角度沒點(diǎn)”只是空洞的訴求。分辨率，衍射能力，這是晶體學(xué)里重要的東西。然而化學(xué)晶體學(xué)很多時(shí)候都在弱化這些基礎(chǔ)。高角度無點(diǎn)，但晶體的分辨率是.9A？1.1A？1.5A？3A？還是更低？這些數(shù)字背后，其2024
09-04晶體日記（十九）- 給使用OMIT完整的證據(jù)鏈- X射線衍射XRD
有個(gè)存在于但是不限于晶體學(xué)的問題：遇到問題，優(yōu)先級(jí)不是想著怎么理解，怎么解決，而是想著怎么掩蓋，讓別人看不到，或者忽略。近期聽到一個(gè)有意思的詞，“離群衍射點(diǎn)”，指的是精修時(shí)發(fā)現(xiàn)的（FovsFc）誤差值過大的衍射點(diǎn)，orMostDisagreeableReflections。雖然聽到時(shí)是個(gè)烏龍，被當(dāng)成了Q峰。當(dāng)然這是常見的概念上的混亂和張冠李戴，這個(gè)就不吐槽了，太費(fèi)神。但是“離群”就“刪掉”了之了么？聊聊OMIT既然說到了這個(gè)事情，那就得聊聊OMIT這個(gè)事情。如同Squeeze的濫用，為了獲得比較掃一掃訪問手機(jī)商鋪
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