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束蘊儀器(上海)有限公司

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  • 2024

    08-08

    應用分享 | 鈣鈦礦太陽能電池中的能級調(diào)控和改性

    鈣鈦礦材料因具備較長的電子-空穴擴散長度、較大的光學吸收系數(shù)、較強的激子躍遷及可低溫制備等諸多優(yōu)點,成為了光伏太陽能領域的研究熱點。以鈣鈦礦材料作為光活性層的太陽能電池器件,由于其簡單的加工工藝和出色的能量轉(zhuǎn)換效率,更是引起了普遍的研究興趣。自2009年報道以來,有機無機雜化鈣鈦礦太陽能電池(PerovskiteSolarCells,PSCs)的效率已超過25%,成為具有潛力的光伏器件之一。然而,PSCs在多種環(huán)境條件下服役的穩(wěn)定性仍未達到商業(yè)化使用標準,PSCs性能的提升及其應用推廣仍然面臨極
  • 2024

    07-30

    怎么才能延長X射線三維成像系統(tǒng)的使用壽命

    X射線三維成像系統(tǒng)是實驗室中常用的設備,主要用于樣品的內(nèi)部結(jié)構分析。這種設備在使用過程中,需要注意養(yǎng)護,以保證其正常工作和使用壽命。以下是一些養(yǎng)護細節(jié):1.清潔:X射線三維成像系統(tǒng)的外部和內(nèi)部都應保持清潔。外部可以用軟布擦拭,內(nèi)部則需用專用的清潔劑和工具進行清潔。特別注意不要讓灰塵和雜質(zhì)進入設備內(nèi)部,否則可能會影響設備的性能。2.溫度和濕度:設備應存放在溫度和濕度適宜的環(huán)境中。過高或過低的溫度都可能影響設備的正常工作,濕度過高可能會導致設備內(nèi)部的電路短路。3.電源:設備的電源應穩(wěn)定可靠,避免電壓
  • 2024

    07-24

    晶體日記 (十一)-尋找“Q”峰背后的原因(4):“單選題”or“多選題”

    衍射圖,討論二對于非缺面孿晶導致|Fo|不對的問題,如果我們養(yǎng)成了良好的習慣:對于所有的晶體都應在RLATT里檢查倒易點陣的排列,那么我們就會馬上去發(fā)現(xiàn)晶體的問題。然而除了非缺面孿晶,晶體的問題還包括很多,比如超晶格,調(diào)制結(jié)構(周期或者非周期的衛(wèi)星衍射點),彌散的衍射信號等。但是單晶衍射數(shù)據(jù)處理的過程中,通常是基于定出的晶胞對有限的數(shù)據(jù)進行還原,而不是所產(chǎn)生的數(shù)據(jù),所以很多被排除在外的信號其實表示了晶體內(nèi)含的一些結(jié)構性質(zhì)。而這些在hkl文件并不會體現(xiàn)出來。從某種意義上說,單晶衍射是采用晶體的理論
  • 2024

    07-24

    晶體日記 (十)- 尋找“Q”峰背后的原因(3):孿晶有“鬼”

    衍射圖,討論一關于很多同學眼中的“鬼峰”,我們看過了“答案”起源于基本的數(shù)據(jù)處理(數(shù)據(jù)還原和數(shù)據(jù)校正)對|Fo|的影響。很多時候在遇到偏大的Q峰的時候,不管是一些審稿人還是學生,都會馬上去想到“吸收校正”(不知道這個想法起源于何處),然后很多同學會莫名地把90%的原因歸結(jié)于此。甚至在沒有看過數(shù)據(jù)的情況下,立刻的回答就是去做吸收校正。然而對于常見的莫名其妙的鬼峰的原因,比如晶體和測試的問題,卻常常被忽略。這里面的原因有很多,我相信大多數(shù)同學拿到手的數(shù)據(jù)都只是hkl,而不是衍射圖。很多時候如果不是刻
  • 2024

    07-24

    應用分享 | TOF-SIMS在光電器件研究中的應用二

    引言寬帶隙鈣鈦礦(1.68eV)是兩端鈣鈦礦/硅疊層太陽電池的重要前電池吸光材料。然而,這類寬帶隙鈣鈦礦太陽電池中存在大量缺陷誘導的非輻射電荷復合,導致器件開路電壓(VOC)遠低于理論值,嚴重限制了器件效率的進一步提升。深能級受體缺陷是影響VOC的主要因素,缺陷鈍化是提供器件效率的有效策略。TOF-SIMS應用成果近日,陜西師范大學方志敏&馮江山&劉生忠團隊通過采用氟化物輔助表面梯度鈍化的策略獲得了光電轉(zhuǎn)換效率(PCE)高達21.63%,VOC達1.239V(VOC損失低至441mV)的寬帶隙鈣
  • 2024

    07-24

    應用分享 | PHI XPS對科學研究的重要作用

    回顧2022年,ULVAC-PHI各個系列的XPS儀器——VersaProbe、Quantera和Quantes對科研發(fā)展和技術進步做出了重要貢獻。據(jù)統(tǒng)計,借助PHIXPS設備,2022年已發(fā)表超過4400篇的學術出版物,包括期刊文章和書籍等。其中,有99項工作發(fā)表在《Nature》和《Science》等高影響力期刊上。例如,我們的用戶利用PHIVersaProbe設備對嵌入磁性CoNi合金顆粒的摻氮碳纖維復合材料表面進行了表征,研究發(fā)現(xiàn)該材料表現(xiàn)出優(yōu)異的電磁波吸收性能。該項工作發(fā)表于《Coll
  • 2024

    07-17

    應用分享 | TOF-SIMS在光電器件研究中的應用

    引言光伏發(fā)電新能源技術對于實現(xiàn)碳中和目標具有重要意義。近年來,基于有機-無機雜化鈣鈦礦的光電太陽能電池器件取得了飛速的發(fā)展,目前報道的光電轉(zhuǎn)化效率已接近26%。鹵化物鈣鈦礦材料具有無限的組分調(diào)整空間,因此表現(xiàn)出優(yōu)異的可調(diào)控的光電性質(zhì)。然而,由于多組分的引入,鈣鈦礦材料生長過程中會出現(xiàn)多相競爭問題,導致薄膜初始組分分布不均一,這嚴重降低了器件效率和壽命。圖1.鈣鈦礦晶體結(jié)構TOF-SIMS應用成果由于目前用于高性能太陽能電池的混合鹵化物過氧化物中的陽離子和陰離子的混合物經(jīng)常發(fā)生元素和相分離,這限制
  • 2024

    07-17

    應用分享 | HAXPES∣多層結(jié)構器件界面的無損深度分析案例

    XPS的探測深度在10nm以內(nèi),然而對于實際的器件,研究對象往往會超過10nm的信息深度,特別是在一些電氣設備中,有源層總是被掩埋在較厚的電極之下。因此,利用XPS分析此類樣品,需要結(jié)合離子刻蝕技術。顯然,離子刻蝕存在擇優(yōu)濺射效應,特別是對于金屬氧化物,會破壞樣品原始的化學態(tài),導致只憑常規(guī)XPS無法直接對埋層區(qū)域進行無損深度分析。好在研究表明增加X射線的光子能量可以增加探測深度。對此,ULVAC-PHI推出了實驗室HAXPES設備,且可同時配備微聚焦單色化AlKα(1486.6eV)源和單色化C
  • 2024

    07-17

    應用分享 | X射線反射率(X-ray reflectivity, XRR)

    XRR是什么?XRR是一種方便、快速的分析單層或多層薄膜和表面的方法,是一種納米尺度上的分析方法,同時可實現(xiàn)無損分析。例如,通過原子層沉積(ALD)技術沉積的薄膜可以用XRR表征薄膜的厚度、密度和界面的粗糙度,同樣也適用于其他方法制備的薄膜,如通過分子層沉積(MLD)沉積的有機/無機超晶格。與光學橢偏法不同,該方法不需要預先了解薄膜的光學性質(zhì),也不需要假設薄膜的光學性質(zhì)。然而,XRR不能提供有關材料晶體結(jié)構的信息,并且多層膜只能在有限的深度內(nèi)表征。XRR簡單原理介紹XRR分析可以在晶體和非晶材料
  • 2024

    07-10

    應用分享 | 原位冷凍TOF-SIMS對斑馬魚RPE組織的生物成像

    飛行時間二次離子質(zhì)譜(TOF-SIMS),也叫靜態(tài)二次離子質(zhì)譜,是飛行時間和二次離子質(zhì)譜結(jié)合的一種新的表面分析技術。因其免標記、高靈敏、多組分檢測和高空間分辨成像等優(yōu)勢,為諸多生命科學問題的研究提供了重要的技術支持。近年來,TOF-SIMS在基礎細胞生物學、組織生理病理學、生物醫(yī)藥與臨床醫(yī)學等領域的研究中被廣泛應用。圖1.“水中小白鼠”斑馬魚(左);冷凍干燥的斑馬魚頭部截面的光學顯微鏡圖像(右)。小科普:斑馬魚(zebrafish)被稱為“水中小白鼠”,是生物學家的理想實驗對象。斑馬魚和人類的基
  • 2024

    07-10

    應用分享 | 鋰離子電池充放電下的原位XPS表征

    鋰離子電池(LIBs)和鋰金屬電池(LMB)都是多層的復雜體系,具有多種材料和界面,每個膜層和界面在性能和穩(wěn)定性方面都起著關鍵作用。調(diào)整這些材料的組成和形態(tài)就可以創(chuàng)建更穩(wěn)定、性能更高的器件,但這些材料非常難以處理和表征。鋰金屬極其容易發(fā)生化學反應,形成枝晶,枝晶會刺穿隔膜造成短路,鋰金屬負極在充放電過程中也會明顯收縮,破壞保護的固體電解質(zhì)(SEI)膜,降低使用壽命和效率。SEI膜形成的LiF層可以對金屬鋰表面起到鈍化效果,減少鋰枝晶的形成,以提高電池的耐用性,因此開發(fā)性能穩(wěn)定的SEI已經(jīng)成為一個
  • 2024

    07-10

    布魯克全新臺式D6 PHASER應用報告(五)—殘余應力分析

    殘余應力是材料在經(jīng)過焊接、鑄造、成型、機械加工或薄膜沉積等過程中殘留在材料中的內(nèi)應力。殘余應力分析對于了解這些內(nèi)應力如何影響部件的性能和使用壽命非常重要。此外,殘余應力分析還可以確定特定的材料特性和失效機制,從而用于構件和零件的設計。傳統(tǒng)上,殘余應力的測試只能在大型落地式衍射儀上進行,臺式衍射儀通常用于簡單的測試項目,比如物相分析。而D6PHASER是一款多功能臺式衍射儀,它不僅可以進行常規(guī)的粉末衍射分析,還可以進行薄膜測試(GID、XRR)、織構和應力測試、對分布函數(shù)測試(PDF)、透射測試、
  • 2024

    07-02

    應用分享 | PHI TOF-SIMS助力鋰電的綠色可持續(xù)發(fā)展戰(zhàn)略

    PHITOF-SIMSAssistingTheGreenandSustainableDevelopmentStrategyofLithiumBattery隨著國內(nèi)新能源汽車銷量高速增長,動力電池裝機量也隨之迅速攀升。鑒于新能源汽車動力電池的平均使用壽命約為6~8年,動力電池在未來2-3年內(nèi)將迎來大規(guī)模退役潮,因此動力電池的回收已成為全國甚至全球相關產(chǎn)業(yè)可持續(xù)發(fā)展的關鍵。鋰的回收需要考慮諸多問題,如回收效率、回收成本、環(huán)境污染以及方法的可行性等。傳統(tǒng)的廢鋰回收方法主要有火法冶金、濕法冶金、生物冶金
  • 2024

    07-02

    應用分享 | 薄膜深度分析之角分辨XPS

    XPS作為一種表面靈敏的分析技術,可以探測樣品表面10nm以內(nèi)的信息,而在材料分析中深度分析是獲取不同深度下組分和化學態(tài)信息的重要方法。在XPS深度分析中,有3個采樣深度值得關注:(1)0-10nm,這是基于常規(guī)AlKαX射線XPS的探測深度,對于超薄膜層結(jié)構的深度分析可以通過變角度XPS實現(xiàn);(2)0-30nm,這是基于硬X射線XPS(HAXPES)的探測深度,可以通過切換X射線能量進行無損深度分析;(3)0-1000nm,需要采用離子束剝離的破壞性深度剖析。氬離子刻蝕是常用的樣品減薄技術,但
  • 2024

    07-02

    布魯克全新臺式D6 PHASER應用報告系列(四)— 分子篩表征

    X射線衍射(XRD)是表征有序材料結(jié)構的重要工具。高角度的相干散射可以反映原子的排列。在非常低的角度也可以觀察到相干信號,這些信號可以用來表征分子篩材料(比如ZSM-41或SBA-15)中圓柱形孔的周期性排列。案例分析低角度數(shù)據(jù)采集需要嚴格控制空氣散射和照在樣品上的光斑面積。通過適當?shù)剡x擇一個固定尺寸的主光路發(fā)散狹縫和一個固定的防空氣散射屏,可控制上述的兩個條件。在D6PHASER上使用動態(tài)光束優(yōu)化(DBO)系統(tǒng),從而使光路和光斑的控制更加的方便和優(yōu)化可調(diào)。DBO包含可變發(fā)散狹縫(VDS)、馬達
  • 2024

    06-27

    應用分享 | 反光電子能譜IPES專輯之原理篇

    固體的電學、光學和化學性質(zhì)深受其占據(jù)態(tài)(occupiedstate)和非占據(jù)態(tài)(unoccupiedstate)電子結(jié)構的共同影響。在半導體材料中,費米能級兩側(cè)的電子結(jié)構對雜質(zhì)摻雜、能帶調(diào)控以及器件的研發(fā)與應用至關重要,尤其是非占據(jù)態(tài)能級結(jié)構,它直接決定了電荷的轉(zhuǎn)移和輸運性能。雖然占據(jù)態(tài)的電子信息可通過光電子能譜,如XPS和UPS來解析,但由于非占據(jù)態(tài)沒有電子填充,傳統(tǒng)的光電效應方法無法有效獲取其能帶信息。為了深入探索非占據(jù)態(tài)的信息,我們需要借助反光電子能譜(InversePhotoelectr
  • 2024

    06-27

    應用分享 | AES在月壤研究中的應用

    面是指固體表面一個或數(shù)個原子層的區(qū)域,是與外界進行物質(zhì)交換和能量交換的通道,其性質(zhì)(如化學組成、原子排列、電子狀態(tài)等)與體相具有諸多不同,但是材料的表面行為往往決定了材料/器件的功用和性能。因此,表面分析對于新材料、新技術的研發(fā)至關重要。常用的表面分析技術主要有XPS、AES和TOF-SIMS等,其中,AES技術能夠?qū)崿F(xiàn)對納米尺度特征的表面進行化學分析。俄歇電子能譜儀(AugerElectronSpectroscopy,AES)采用場發(fā)射電子源入射樣品的表面,激發(fā)出二次電子(用于形貌觀察)以及俄
  • 2024

    06-27

    應用分享 | 二次離子質(zhì)譜中的基體效應

    在使用二次離子質(zhì)譜(SIMS)技術對樣品進行定量分析時,常遇到一系列棘手的問題:即便在濃度相同、測試條件一致的情況下,同一組分在不同的化學環(huán)境中二次離子產(chǎn)額可能跨越幾個數(shù)量級;此外,即便同一組樣品,使用相同設備和實驗條件、在不同時間段內(nèi)測到的二次離子信號強度也可能會有所差異。在SIMS分析中,常將實驗條件和樣品化學性質(zhì)差異等因素導致二次離子產(chǎn)額發(fā)生變化的現(xiàn)象統(tǒng)稱為基體效應(matrixeffect)。在這期文章,我們將介紹SIMS分析中的基體效應,并分析基體效應對SIMS測試和定量分析所帶來的影
  • 2024

    06-13

    應用分享 | AES在鈦合金增材制造中的應用

    Ti-6Al-4V是一種典型的α+β型兩相鈦合金,在航空、醫(yī)療器械、艦船等方面應用普遍。鑒于鈦對氧的親和性好,電子束熔煉(EBM)是鈦合金增材制造推薦工藝。然而,在EBM工藝中,只有部分粉末會熔化和凝固,為節(jié)省成本,合理利用資源,對于用過的且符合特定化學成分的Ti-6Al-4V粉末需要進行篩分、回收和重復利用。為進一步研究Ti-6Al-4V粉末在重復使用過程中表面局部位置形貌和化學變化,本案例對多次回收的粉末做了詳盡的AES(PHI700)和XPS(PHI5000VersaProbeIII)表征
  • 2024

    06-13

    應用分享 | 淺談光學帶隙和電學帶隙差異

    帶隙(BandGap),亦被稱為禁帶寬度,是半導體材料的重要參數(shù)之一。它不僅揭示了價電子被束縛的緊密程度,還是衡量半導體光學性能*與否的重要指標。此外,帶隙決定了激發(fā)該半導體所必須的較小能量閾值。在光電轉(zhuǎn)換器件,如太陽能電池和發(fā)光二極管等領域,帶隙的測量對深入理解半導體的電學和光學特性,以及探索其實際應用價值,具有不可替代的物理和現(xiàn)實意義。過去,科研人員主要通過循環(huán)伏安法或結(jié)合UPS與光學吸收法來測量帶隙和能級排列。然而,隨著反光電子能譜技術(InversePhotoemissionSpectr
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