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2023
03-08可以讓產(chǎn)品變性的機(jī)器，等離子清洗機(jī)？
等離子清洗是等離子表面改性的其中較為常見的一種方式。等離子清洗的作用主要是：（1）對(duì)材料表面的刻蝕作用--物理作用等離子體中的大量離子、激發(fā)態(tài)分子、自由基等多種活性粒子，作用到固體樣品表面，不但清除了表面原有的污染物和雜質(zhì)，而且會(huì)產(chǎn)生刻蝕作用，將樣品表面變粗糙，形成許多微細(xì)坑洼，增大了樣品的比表面。提高固體表面的潤(rùn)濕性能。（2）激活鍵能，交聯(lián)作用等離子體中的粒子能量在0~20eV，而聚合物中大部分的鍵能在0~10eV，因此等離子體作用到固體表面后，可以將固體表面的原有的化學(xué)鍵產(chǎn)生斷裂，等離子體中2023
02-20【EVG新品發(fā)布】NT系列大幅度提高光刻對(duì)準(zhǔn)和測(cè)試精度
在微電子、納米、半導(dǎo)體領(lǐng)域?yàn)榫雍虾凸饪碳夹g(shù)提供設(shè)備技術(shù)方案的供應(yīng)商EVG近期推出了NT系列光刻機(jī)和對(duì)準(zhǔn)測(cè)試機(jī)，這是一個(gè)全新的、已經(jīng)被生產(chǎn)廠家驗(yàn)證過的新型光刻曝光機(jī)以及晶圓對(duì)晶圓(W2W)接合曝光和測(cè)試系統(tǒng)，可滿足用戶對(duì)更高光刻精度的需求。業(yè)內(nèi)向更小結(jié)構(gòu)和更密集封裝生產(chǎn)轉(zhuǎn)型的趨勢(shì)帶來了眾多的新挑戰(zhàn)，如對(duì)更高精度的要求，因?yàn)檫@將嚴(yán)重影響設(shè)備的偏差律，并最終影響生產(chǎn)效率和增加成本。新的EVGNT系列光刻機(jī)對(duì)準(zhǔn)機(jī)可極大提高對(duì)準(zhǔn)精度-范圍從1微米至0.1微米-從而為生產(chǎn)廠家在先進(jìn)微電子、化合物半導(dǎo)體、2023
02-20EVG突破用于半導(dǎo)體高/級(jí)封裝的掩模對(duì)準(zhǔn)光刻技術(shù)中的速度和精度障礙
面向MEMS，納米技術(shù)和半導(dǎo)體市場(chǎng)的晶圓鍵合和光刻設(shè)備的LINGXIAN供應(yīng)商EVGroup（EVG）近日推出了IQAlignerNT，它是針對(duì)大批量先進(jìn)封裝應(yīng)用的新的，先進(jìn)的自動(dòng)掩模對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)。新型IQAlignerNT具有高強(qiáng)度和高均勻度的曝光光學(xué)器件，新的晶圓處理硬件，可實(shí)現(xiàn)全局多點(diǎn)對(duì)準(zhǔn)的200mm和300mm晶圓WANQUAN覆蓋范圍以及優(yōu)化的工具軟件，從而使生產(chǎn)率提高了2倍與EVG上一代IQAligner相比，對(duì)準(zhǔn)精度提高了2倍。該系統(tǒng)超越了晶圓凸塊和其他后端光刻應(yīng)用的ZUIKEKE要求2023
02-202023
02-162023
02-16光學(xué)膜厚儀廣泛應(yīng)用于各種薄膜產(chǎn)品的測(cè)量
光學(xué)膜厚儀的薄膜光譜反射系統(tǒng)，可以很簡(jiǎn)單快速地獲得薄膜的厚度及nk，采用r-θ極坐標(biāo)移動(dòng)平臺(tái)，可以在幾秒鐘的時(shí)間內(nèi)快速的定位所需測(cè)試的點(diǎn)并測(cè)試厚度，可隨意選擇一種或極坐標(biāo)形、或方形、或線性的圖形模式，也可以編輯自己需要的測(cè)試點(diǎn)。針對(duì)不同的晶圓尺寸，盒對(duì)盒系統(tǒng)可以很容易的自動(dòng)轉(zhuǎn)換，匹配當(dāng)前盒子的尺寸。49點(diǎn)的分布圖測(cè)量只需耗時(shí)約45秒。用激光粒度分布儀測(cè)試膠體的粒度分布時(shí)應(yīng)配合其它檢測(cè)手段驗(yàn)證測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性，同時(shí)應(yīng)使用去離子水作為分散介質(zhì)，防止自來水中的電解質(zhì)造成顆粒團(tuán)聚影響測(cè)試結(jié)果。適用于已知2023
01-112023
01-112023
01-112022
12-142022
11-252022
11-252022
11-24ThetaMetrisis膜厚儀用于氧化釔 (Y2O3) 涂層厚度測(cè)量
接下來為大家介紹ThetaMetrisis膜厚儀在氧化釔(Y2O3)涂層厚度方面的測(cè)量應(yīng)用。ThetaMetrisis膜厚儀可快速準(zhǔn)確地繪制大尺寸氧化鋁陶瓷圓盤上的抗等離子涂層Y2O3厚度。1、案例介紹集成電路特征尺寸的持續(xù)縮小，對(duì)化學(xué)機(jī)械拋光后的平整度要求日益提高。氧化釔(Y2O3)是一種非常有前景的抗等離子涂層材料，可作化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)磨料，應(yīng)用十分廣泛。因其優(yōu)異的溫度穩(wěn)定性和對(duì)具有高氧親和力的堿性熔體的出色耐受性，Y2O3被用在許多特殊材料上，例如絕緣體、玻璃、導(dǎo)電陶瓷、耐火材料、著2022
11-212022
10-242022
10-192022
10-19ThetaMetrisis 自動(dòng)化薄膜厚度測(cè)繪系統(tǒng)介紹
FR-Scanner-AIO-Mic-XY200:微米級(jí)定位精度自動(dòng)化薄膜厚度測(cè)繪系統(tǒng)介紹FR-Scanner-AIO-Mic-XY200是一款自動(dòng)薄膜厚度測(cè)繪系統(tǒng)，用于全自動(dòng)圖案化晶圓上的單層和多層涂層厚度測(cè)量。電動(dòng)X-Y載物臺(tái)提供適用尺寸200mmx200mm毫米的行程,通過真空固定在載臺(tái)上時(shí)進(jìn)行精確測(cè)量?？梢罍y(cè)量厚度和波長(zhǎng)范圍應(yīng)用需求可在在200-1700nm光譜范圍內(nèi)提供各種光學(xué)配置.應(yīng)用o大學(xué)&研究實(shí)驗(yàn)室o半導(dǎo)體（氧化物、氮化物、Si、抗蝕劑等）oMEMS器件（光刻膠、硅膜等）oLED2022
10-184H-SiC 外延層中堆垛層錯(cuò)與襯底缺陷的關(guān)聯(lián)性研究
1.摘要本研究探討了同質(zhì)外延生長(zhǎng)的4H-SiC晶片表面堆垛層錯(cuò)(SF)的形貌特征和起因。依據(jù)表面缺陷檢測(cè)設(shè)備KLA-TencorCS920的光致發(fā)光(PL)通道和形貌通道的特點(diǎn),將SF分為五類。其中I類SF在PL通道圖中顯示為梯形,在形貌圖中不顯示;II類SF在PL通道圖中顯示為三角形,且與I類SF重合,在形貌圖中顯示為胡蘿卜形貌。III-V類SF在PL通道圖中均顯示為三角形,在形貌圖中分別顯示為胡蘿卜、無對(duì)應(yīng)圖像或三角形。研究結(jié)果表明,I類SF起源于襯底的基平面位錯(cuò)(BPD)連線,該連線平行于2022
09-02薄膜的厚度檢測(cè)在薄膜制造及加工業(yè)是常見的指標(biāo)之一
在薄膜制造及加工業(yè)，檢測(cè)薄膜的厚度是常見的薄膜檢測(cè)指標(biāo)之一，厚度檢測(cè)又多分為薄膜厚度檢測(cè)以及涂層厚度檢測(cè)兩類。由于薄膜的厚度是各層樹脂厚度的總和，如果薄膜的整體厚度均勻性差，其中各層樹脂的厚度分布也會(huì)存在差異。毫無疑問，對(duì)涂層厚度的檢測(cè)將更有利于有效控制薄膜各層的厚度均勻性，但對(duì)于多層薄膜若想精確測(cè)量每一涂層的厚度，在相應(yīng)的厚度檢測(cè)設(shè)備上就需要有非常大的投資，并隨著薄膜層數(shù)的增長(zhǎng)而加大，給企業(yè)帶來較大的經(jīng)濟(jì)負(fù)擔(dān)。比較經(jīng)濟(jì)的方式是對(duì)部分價(jià)格昂貴的涂層材料進(jìn)行涂層厚度的檢測(cè)，同時(shí)加強(qiáng)對(duì)薄膜整體厚度的2022
08-13掃一掃訪問手機(jī)商鋪
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