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岱美儀器技術(shù)服務(wù)(上海)有限公司

6
  • 2023

    08-03

    激光測(cè)厚儀原理是什么?激光測(cè)厚儀有哪些優(yōu)勢(shì)?

    激光測(cè)厚儀主要應(yīng)用于鋰電池正、負(fù)極涂布,鋰電池正、負(fù)極輥壓的厚度和面密度測(cè)量。對(duì)于傳統(tǒng)涂布線,技術(shù)人員建議采用離線式激光測(cè)厚儀通過抽檢的方式折中地解決邊緣監(jiān)控問題;而對(duì)于新上的涂布線,推薦使用該設(shè)備放置于放卷后、涂布前,測(cè)量基材的厚度和面密度;也可以放置在烘箱后、收卷前,測(cè)量烘干極片的厚度和面密度。激光測(cè)厚儀設(shè)備與傳統(tǒng)設(shè)備最大的不同在于其光斑很小,不僅在極片中間區(qū)域表現(xiàn)良好,還能準(zhǔn)確地監(jiān)控極片頭尾和左右的輪廓,避免削薄區(qū)和頭尾出現(xiàn)較大的面密度或厚度偏差而導(dǎo)致批量報(bào)廢。本產(chǎn)品主要將面密度測(cè)量與激光
  • 2023

    07-07

    制造芯片的難題之光刻技術(shù)和掩模版制作

    一、簡(jiǎn)介第四次工業(yè)革命以數(shù)年前尚不存在的技術(shù)席卷了我們的生活,其中一些在幾十年前甚至無(wú)法想象。自動(dòng)駕駛汽車已經(jīng)在公共街道上進(jìn)行測(cè)試;無(wú)人機(jī)正在調(diào)查地形,拍攝視頻,派發(fā)包裹;由專業(yè)人士和業(yè)余愛好者創(chuàng)建的大量視頻內(nèi)容正在被拍攝和發(fā)布;固定和移動(dòng)監(jiān)視變得司空見慣;服務(wù)器的體量變得驚人的龐大,4G網(wǎng)絡(luò)正在被5G補(bǔ)充或替代。所有這些趨勢(shì)的共同之處在于,它們生成的大量數(shù)據(jù)必須比以往任何時(shí)候更快、更可靠地進(jìn)行處理、傳輸和存儲(chǔ)。上述這些新應(yīng)用中,許多將需要高級(jí)邏輯器件來實(shí)現(xiàn)更高的功耗和處理速度。使用較小的晶體管
  • 2023

    07-04

    納米位移電容傳感器的工作原理及典型應(yīng)用

    什么是納米位移電容傳感器納米位移電容傳感器由傳感器探頭、放大器和電源組成。具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、非接觸、頻響寬等特點(diǎn),被認(rèn)為是*性的微位移傳感技術(shù),廣泛用于納米位移與定位控制系統(tǒng)。納米位移電容傳感器的工作原理納米位移電容傳感器是基于理想平板電容原理設(shè)計(jì)研發(fā)的,被測(cè)物體與傳感器各自作為一個(gè)平板電極。給傳感器一個(gè)持續(xù)穩(wěn)定的交流電,交流電壓的振幅變化與電容到被測(cè)物體之間的距離成正比。交流電經(jīng)過解調(diào),可以測(cè)出位移量。電容式位移傳感器具有信噪比大、靈敏度高、頻響寬、非線性小、精度穩(wěn)定性好、無(wú)損耗等特點(diǎn)。納米位移電
  • 2023

    06-05

    淺述粗糙度測(cè)定儀應(yīng)用工作領(lǐng)域及進(jìn)行粗糙度檢測(cè)的方法

    粗糙度測(cè)定儀的應(yīng)用表面質(zhì)量的特性是零件非常重要的特性之一,在計(jì)量科學(xué)中表面質(zhì)量的檢測(cè)具有重要的地位。以前人們是用標(biāo)準(zhǔn)樣件或樣塊,通過肉眼觀察或用手觸摸,對(duì)表面粗糙度做出定性的綜合評(píng)定。目前粗糙度儀主要涉及的行業(yè)領(lǐng)域有:一、非金屬加工制造業(yè),隨著科技的進(jìn)步與發(fā)展,越來越多的新型材料應(yīng)用到加工工藝上,如陶瓷、塑料、聚乙烯,等等,現(xiàn)在有些軸承就是用特殊陶瓷材料加工制作的,還有泵閥等是利用聚乙烯材料加工制成的。這些材料質(zhì)地堅(jiān)硬,某些應(yīng)用可以替代金屬材料制作工件,在生產(chǎn)加工過程中也需要檢測(cè)其表面粗糙度。二
  • 2023

    05-29

    SCHOTT,Inkron,EVG和WaveOptics強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手,打造下一代AR波導(dǎo)

    幾家著名的增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)(AR)公司聯(lián)合起來,加速消費(fèi)級(jí)AR可穿戴設(shè)備的發(fā)展。SCHOTT,Inkron,EVGroup(EVG)和WaveOptics展示了全球shou個(gè)在玻璃基板上制成的折射率為1.9的波導(dǎo),以及相匹配的納米結(jié)構(gòu)聚合物——在300毫米晶圓平臺(tái)上生產(chǎn),且可進(jìn)行批量生產(chǎn)。SCHOTT是國(guó)際領(lǐng)仙的科技集團(tuán)和光學(xué)玻璃的發(fā)明者,現(xiàn)推出SCHOTTRealView™高折射率玻璃晶圓,其折射率為1.9,直徑為300mm。這些晶圓是批量生產(chǎn)下一代AR波導(dǎo)的基礎(chǔ),不僅單位成本更低,還能達(dá)到AR所需的
  • 2023

    05-29

    300mm納米壓印技術(shù)用于大批量增強(qiáng)/混合現(xiàn)實(shí)玻璃制造

    面向MEMS、納米技術(shù)和半導(dǎo)體市場(chǎng)的晶圓鍵合與光刻設(shè)備(含納米壓印設(shè)備)的領(lǐng)仙供應(yīng)商EVG宣布,與特種玻璃和微晶玻璃領(lǐng)域的世界領(lǐng)仙技術(shù)集團(tuán)SCHOTT合作,證明300毫米(12英寸)納米壓印光刻技術(shù)(NIL)在下一代增強(qiáng)/混合現(xiàn)實(shí)(AR/MR)頭戴設(shè)備耳機(jī)的波導(dǎo)/光導(dǎo)制造中使用的高折射率(HRI)玻璃晶圓的大批量圖案化已準(zhǔn)備就緒。此次合作涉及EVG專有的SmartNIL®工藝和SCHOTTRealView™高折射率玻璃晶圓,將在EVG位于奧地利總部的NILPhotonics®能力中心進(jìn)行。SCH
  • 2023

    05-25

    NIL納米壓印技術(shù)在生物醫(yī)療領(lǐng)域的應(yīng)用

    在過去的幾十年中,生物技術(shù)器件的小型化極大地改善了臨床診斷,藥物研究和分析化學(xué)?,F(xiàn)代生物技術(shù)器件——如用于診斷、細(xì)胞分析和藥物發(fā)現(xiàn)的生物醫(yī)學(xué)MEMS(bioMEMS)——通常是基于芯片的,依賴于微米級(jí)和納米級(jí)生物物質(zhì)的密切相互作用。根據(jù)市場(chǎng)研究和策略咨詢公司YoleDéveloppement的報(bào)告,越來越多的醫(yī)療保健應(yīng)用正在使用bioMEMS組件,而bioMEMS市場(chǎng)預(yù)計(jì)將從2015年的27億美元增長(zhǎng)至2021年的76億美元,增長(zhǎng)近三倍。到2021年,微流控器件將占生物醫(yī)學(xué)MEMS市場(chǎng)總量的86
  • 2023

    05-25

    EVG納米壓印技術(shù)用于制作3D光學(xué)納米結(jié)構(gòu)

    首CHUANG的解決方案將SwissLithoNanoFrazo系統(tǒng)的高分辨率和3D打印功能與EVG的SmartNIL®技術(shù)的高產(chǎn)量和成本效益相結(jié)合面向MEMS、納米技術(shù)和半導(dǎo)體市場(chǎng)的晶圓鍵合和光刻設(shè)備的領(lǐng)仙供應(yīng)商EVG與新型納米光刻技術(shù)制造商SwissLithoAG宣布推出聯(lián)合解決方案,可生產(chǎn)最小到單納米級(jí)的3D結(jié)構(gòu)。這一方案在歐盟第七框架計(jì)劃資助的“超越CMOS器件的單納米制造(SNM)”項(xiàng)目中進(jìn)行了shouci演示,涉及SwissLitho的新型NanoFrazor熱掃描探針光刻系統(tǒng)和EV
  • 2023

    05-08

    薄膜在線測(cè)厚儀的有哪些測(cè)量原理?

    薄膜在線測(cè)厚儀的測(cè)量原理有4種:射線技術(shù),X射線技術(shù),近紅外技術(shù)和光學(xué)透過率技術(shù)2.1射線技術(shù)射線技術(shù)是最先應(yīng)用于在線測(cè)厚技術(shù)上的射線技術(shù),在上世紀(jì)60年代就已經(jīng)廣泛用于超薄薄膜的在線厚度測(cè)量了。2.2X射線技術(shù)這種技術(shù)極少為塑料薄膜生產(chǎn)線所采用。X光管壽命短,更換費(fèi)用昂貴,一般可用2-3年,更換費(fèi)用在5000美元左右,而且不適用于測(cè)量由多種元素構(gòu)成的聚合物,信號(hào)源放射性強(qiáng)。X射線技術(shù)常用于鋼板等單一元素的測(cè)量。2.3近紅外技術(shù)近紅外技術(shù)在在線測(cè)厚領(lǐng)域的應(yīng)用曾受到條紋干涉現(xiàn)象的影響,但現(xiàn)在近紅外
  • 2023

    04-13

    晶圓鍵合技術(shù)在LED應(yīng)用中的研究進(jìn)展(二)

    1.2金屬鍵合對(duì)于高亮度垂直LED(high-brightnessverticalLED,HB-VLED)來說,鍵合界面必須具有高熱導(dǎo)和高電導(dǎo)的性能,幸運(yùn)的是大部分金屬材料導(dǎo)熱性能好的同時(shí)導(dǎo)電性能也較好,使金屬鍵合技術(shù)成為目前LED產(chǎn)業(yè)中最常使用的鍵合技術(shù),即以金屬膜為中間層實(shí)現(xiàn)晶圓對(duì)的連接。金屬鍵合技術(shù)提供了高熱導(dǎo)、低電阻、電流分布均勻及光吸收少的鍵合界面,無(wú)論是對(duì)于AlInGaP紅光LED還是對(duì)于InGaN藍(lán)光LED,采用金屬鍵合技術(shù)都能有效提高其熱學(xué)、電學(xué)和光學(xué)性能,因此金屬鍵合技術(shù)受到了
  • 2023

    04-13

    晶圓鍵合技術(shù)在LED應(yīng)用中的研究進(jìn)展(一)

    0引言發(fā)光二極管(light-emittingdiode,LED)照明是利用半導(dǎo)體的電致發(fā)光發(fā)展而來的固態(tài)照明技術(shù)。自1907年第一只發(fā)光二極管問世,到20世紀(jì)90年代,人們對(duì)LED的研究進(jìn)展緩慢,期間使用GaAs和InP等第二代半導(dǎo)體材料為光源的LED僅應(yīng)用在光電探測(cè)及顯示領(lǐng)域。直到20世紀(jì)90年代中期,日本的中村修二發(fā)明了世界上DI一只超高亮度的GaN基LED,照明領(lǐng)域的大門才向LED打開。GaN作為繼第一代半導(dǎo)體材料Si,Ge和第二代半導(dǎo)體材料GaAs,InP等之后的第三代半導(dǎo)體材料,因其
  • 2023

    04-13

    用于創(chuàng)新PIC封裝的晶圓級(jí)納米壓印技術(shù)

    01引言數(shù)據(jù)中心、電信網(wǎng)絡(luò)、傳感器和用于人工智能高級(jí)計(jì)算中的新興應(yīng)用,對(duì)于低功耗和低延遲的高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)男枨蟪尸F(xiàn)出指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)。我們比以往任何時(shí)候都更加依賴這些應(yīng)用來確保這個(gè)世界更安全、更高效。在所有這些市場(chǎng)中,硅光子學(xué)(SiPh)在實(shí)現(xiàn)超高帶寬性能方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用。因此,開發(fā)能夠經(jīng)濟(jì)高效地?cái)U(kuò)大硅光子產(chǎn)品生產(chǎn)的解決方案比以往任何時(shí)候都更加重要。雖然通過使用標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體大規(guī)模生產(chǎn)工藝和現(xiàn)有基礎(chǔ)設(shè)施,SiPh的晶圓制造能力已經(jīng)成熟,但SiPh的封裝解決方案仍然是大規(guī)模商業(yè)化的關(guān)鍵瓶頸。與晶圓制造相比,
  • 2023

    04-12

    基于無(wú)掩模光刻的高精度ITO電極濕法刻蝕工藝研究(結(jié)果與討論)

    3結(jié)果與討論3.1顯影時(shí)間影響經(jīng)過無(wú)掩模光刻機(jī)曝光后,目標(biāo)圖案已轉(zhuǎn)移至ITO玻璃上。將ITO玻璃放置于加熱板上進(jìn)行加熱,烘除光刻膠中的殘留溶劑、水分,使光刻膠與ITO玻璃結(jié)合更加緊密,此時(shí),經(jīng)過曝光的光刻膠與未曝光的光刻膠在顯影液中會(huì)存在明顯的溶解速度差。將自然冷卻后的ITO玻璃浸沒于SU-8光刻膠專用顯影液中,由于本實(shí)驗(yàn)中采用的光刻膠為負(fù)膠,因此顯影目的是為了除去曝光區(qū)域以外的光刻膠。該方法的核心問題是控制顯影時(shí)間。圖2為經(jīng)過不同顯影時(shí)間后,在Ti-E顯微鏡下觀察到的光刻膠形貌圖,圖中深色條紋
  • 2023

    04-12

    基于無(wú)掩模光刻的高精度ITO電極濕法刻蝕工藝研究(引言+實(shí)驗(yàn))

    1引言ITO(indiumtinoxide)又稱氧化銦錫,是一種銦錫金屬氧化物,因其具有光學(xué)透明性[1]、高導(dǎo)電性[2]、易加工性[3]及柔性潛力[4]等優(yōu)點(diǎn),目前在光電檢測(cè)、生物芯片及微納器件等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用,例如加工成熱光伏系統(tǒng)濾波器[5]、紅外輻射反射鏡涂層[6]、表面等離子體共振材料[7]等。在實(shí)際應(yīng)用中,ITO通常需先加工成各種形狀的電極,但由于曝光精度低、刻蝕工藝參數(shù)難以控制等原因,ITO電極特征尺寸無(wú)法進(jìn)一步降低。目前將ITO加工成電極的方法多種多樣,主要分干法刻蝕與濕法刻蝕。
  • 2023

    04-12

    EVG推出全新突破速度和精度極限的掩模對(duì)準(zhǔn)光刻機(jī)

    相較上一代平臺(tái),全新自動(dòng)掩模對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)(IQAlignerNT)產(chǎn)出率和對(duì)準(zhǔn)精度提升兩倍,為EVG光刻解決方案帶來了全新應(yīng)用微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)、納米技術(shù)以及半導(dǎo)體市場(chǎng)晶圓鍵合和光刻設(shè)備LINGXIAN供應(yīng)商EVG集團(tuán)(EVG)近日宣布推出IQAlignerNT,旨在針對(duì)大容量XIANJIN封裝應(yīng)用推出的全新自動(dòng)掩模對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)。IQAlignerNT光刻機(jī)配備了高強(qiáng)度和高均勻度曝光鏡頭、全新晶圓處理硬件、支持全局多點(diǎn)對(duì)準(zhǔn)的全200毫米和全300毫米晶圓覆蓋、以及優(yōu)化的工具軟件。與EVG此前推出的I
  • 2023

    04-12

    MicroSense位移傳感器簡(jiǎn)介

    一、優(yōu)勢(shì)簡(jiǎn)介:MicroSense的高精度電容式位移傳在感器,除具有一般非接觸式儀器的共性外,還具有信噪比高、靈敏度高、零漂小、頻響寬、非線性小、精度穩(wěn)定性好、抗電磁干擾能力強(qiáng)、使用方便等優(yōu)點(diǎn),在國(guó)內(nèi)研究所、高等院校、企業(yè)得到廣泛應(yīng)用,成為科研、教學(xué)和生產(chǎn)中一種非常重要的測(cè)試儀器。二、特點(diǎn):1、可實(shí)現(xiàn)近距離、高精度、非接觸式位置測(cè)量2、分辨率可達(dá)亞納米級(jí)直至皮納米級(jí),在所有商用電容傳感器品牌中,噪音ZUI低3、提供多種型號(hào)的探頭,以滿足高穩(wěn)定性、線性或高測(cè)量帶寬等不同需求4、可選擇單一通道或多通
  • 2023

    04-12

    光刻創(chuàng)新技術(shù):EVG推出MLE無(wú)掩模曝光光刻技術(shù)

    1.介紹對(duì)電子設(shè)備性能和靈活性的新要求正在使制造基礎(chǔ)架構(gòu)從傳統(tǒng)的基于掩模的光刻技術(shù)轉(zhuǎn)變?yōu)橛糜诟呒?jí)封裝和異構(gòu)集成的數(shù)字光刻技術(shù)。片上系統(tǒng)正在從單片解決方案轉(zhuǎn)向封裝,小芯片和功能塊中的模塊化系統(tǒng)。因此,對(duì)于可擴(kuò)展和通用后端光刻的需求不斷增長(zhǎng),以實(shí)現(xiàn)封裝和系統(tǒng)級(jí)的互連。為了滿足這一新的行業(yè)愿景,需要能夠通過高級(jí)封裝快速集成新穎功能元素的大規(guī)模生產(chǎn)新工具。大批量制造(HVM)行業(yè)必須超越保守的芯片圖案設(shè)計(jì),并進(jìn)入數(shù)字光刻技術(shù)的新時(shí)代。EVGroup開發(fā)了MLE™(無(wú)掩模曝光)技術(shù),通過消除與掩模相關(guān)的困
  • 2023

    04-10

    超聲波清洗機(jī)能清洗硅片嗎?

    可以的。隨著半導(dǎo)體材料技術(shù)的發(fā)展,對(duì)硅片的規(guī)格和質(zhì)量也提出更高的要求,適合微細(xì)加工的大直徑硅片在市場(chǎng)的需求比例將日益加大。半導(dǎo)體,芯片,集成電路,設(shè)計(jì),版圖,芯片,制造,工藝目前世界普遍采用先進(jìn)的切、磨、拋和潔凈封裝工藝,使制片技術(shù)取得明顯進(jìn)展。新技術(shù)的導(dǎo)入,使SOI等高功能晶片的試制開發(fā)也進(jìn)入批量生產(chǎn)階段。對(duì)此,硅片生產(chǎn)廠家也增加了對(duì)300mm硅片的設(shè)備投資,針對(duì)設(shè)計(jì)規(guī)則的進(jìn)一步微細(xì)化。利用超聲波清洗技術(shù),在清洗過程中超聲波頻率在合理的范圍內(nèi)往復(fù)掃動(dòng),帶動(dòng)清洗液形成細(xì)微回流,使工件污垢在被超聲
  • 2023

    03-14

    ThetaMetrisis膜厚儀用于電池隔膜厚度測(cè)量

    介紹:鋰電池由正極、負(fù)極和電解液組成。隔膜是形成微孔層的高分子膜,放置在電池的正負(fù)極之間,使正負(fù)極保持分開以防短路,同時(shí)確保離子電荷載體的傳輸。隔膜的結(jié)構(gòu)和特性會(huì)顯著影響電池的性能,例如能量、功率密度、循環(huán)壽命和安全性。電池隔膜采用特定類型的高分子材料制成。其中,聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)及其混合物或薄膜疊層得到廣泛應(yīng)用。隔膜厚度通常在25.4μm到12μm之間(根據(jù)GB∕T36363-2018《鋰離子電池用聚烯烴隔膜》國(guó)家標(biāo)準(zhǔn),隔膜厚度不應(yīng)該低于14μm不能厚于25μm),具體取決于化學(xué)系
  • 2023

    03-08

    可以讓產(chǎn)品變性的機(jī)器,等離子清洗機(jī)?

    等離子清洗是等離子表面改性的其中較為常見的一種方式。等離子清洗的作用主要是:(1)對(duì)材料表面的刻蝕作用--物理作用等離子體中的大量離子、激發(fā)態(tài)分子、自由基等多種活性粒子,作用到固體樣品表面,不但清除了表面原有的污染物和雜質(zhì),而且會(huì)產(chǎn)生刻蝕作用,將樣品表面變粗糙,形成許多微細(xì)坑洼,增大了樣品的比表面。提高固體表面的潤(rùn)濕性能。(2)激活鍵能,交聯(lián)作用等離子體中的粒子能量在0~20eV,而聚合物中大部分的鍵能在0~10eV,因此等離子體作用到固體表面后,可以將固體表面的原有的化學(xué)鍵產(chǎn)生斷裂,等離子體中
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